[发明专利]一种外延层续长方法在审
| 申请号： | 202010622415.8 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111725054A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;赵勇明;张雨;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 钟扬飞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 外延 层续长 方法 | ||
1.一种外延层续长方法，其特征在于，包括：
将生长中断的外延片置于反应室中，通入保护气体；
将所述反应室的温度升高至目标温度；
通入刻蚀气体对所述外延片的生长中断层进行刻蚀；
完成目标深度的刻蚀后，停止通入所述刻蚀气体；
通入生长材料，继续生长目标层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护气体的流量为50sccm至2000sccm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护气体包括第一保护气体和第二保护气体。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一保护气体为氢气。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二保护气体为砷烷、磷烷、TBAs、TBP中的一种或多种。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述通入刻蚀气体对所述外延片的生长中断层进行刻蚀之前，还包括：
停止通入所述第二保护气体。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标温度等于所述生长中断层正常生长时的表面温度。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体为CBr4或CCl4中的一种。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长中断层为有源层，所述目标深度等于所述有源层的厚度。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长中断层为除有源层以外的外延层，所述目标深度小于所述生长中断层的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
