[发明专利]一种外延层续长方法

说明书

本申请实施例提供一种外延层续长方法，所述外延层续长方法包括：将生长中断的外延片置于反应室中，通入保护气体；将所述反应室的温度升高至目标温度；通入刻蚀气体对所述外延片的生长中断层进行刻蚀；完成目标深度的刻蚀后，停止通入所述刻蚀气体；通入生长材料，继续生长目标层。本申请实现了生长中断的外延片续长，降低外延生长的报废率。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延层续长方法。

背景技术

在半导体材料外延生长的过程中，设备故障、电路故障、工艺气体不足等原因都有可能使外延层因生长异常而出现生长中断，产生大量报废外延片。为了尽可能减少损失，厂家会采用高温退火，解吸附分解生长中断的外延层，然后继续生长。但是，在解吸附后可能会在外延层表面形成金属滴，影响后续生长，另外，解吸附需要在较高温度下进行，会造成底层外延层质量的降低，导致器件性能的恶化。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种外延层续长方法，用以实现生长中断的外延片续长，降低外延生长的报废率。

本申请实施例第一方面提供了一种外延层续长方法，包括：将生长中断的外延片置于反应室中，通入保护气体；将所述反应室的温度升高至目标温度；通入刻蚀气体对所述外延片的生长中断层进行刻蚀；完成目标深度的刻蚀后，停止通入所述刻蚀气体；通入生长材料，继续生长目标层。

于一实施例中，所述保护气体的流量为50sccm至2000sccm。

于一实施例中，所述保护气体包括第一保护气体和第二保护气体。

于一实施例中，所述第一保护气体为氢气。

于一实施例中，所述第二保护气体为砷烷、磷烷、TBAs、TBP中的一种或多种。

于一实施例中，在所述通入刻蚀气体对所述外延片的生长中断层进行刻蚀之前，还包括：停止通入所述第二保护气体。

于一实施例中，所述目标温度等于所述生长中断层正常生长时的表面温度。

于一实施例中，所述刻蚀气体为CBr₄或CCl₄中的一种。

于一实施例中，所述生长中断层为有源层，所述目标深度等于所述有源层的厚度。

于一实施例中，所述生长中断层为除有源层以外的外延层，所述目标深度小于所述生长中断层的厚度。

本申请采用刻蚀气体对生长中断的外延层进行刻蚀后重新生长，不仅避免了解吸附产生金属滴，还减小了对生长中断前已经生长完毕的底层外延层的影响，提高了后续重新生长的外延层质量和器件性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请一实施例的外延片的结构示意图；

图2为本申请一实施例的外延层续长方法的流程示意图；

图3为本申请另一实施例的外延层续长方法的流程示意图。

附图标记：

100-外延片，110-衬底，120-外延层，121-缓冲层，122-下包层，123-下波导层，124-有源层，125-上波导层，126-上包层，127-接触层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。