[发明专利]一种MOCVD设备清洁方法有效
| 申请号： | 202010624201.4 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111593327B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;赵勇明;张雨;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 钟扬飞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mocvd 设备 清洁 方法 | ||
1.一种MOCVD设备清洁方法，其特征在于，包括：
将待处理的石墨件置于MOCVD设备的反应室中，持续通入氢气；
升高所述反应室的温度至目标温度；所述目标温度的范围为650℃至850℃；
通入流量为100-1000sccm的第一腐蚀气体，进行第一次腐蚀；
当所述第一次腐蚀的腐蚀深度达到第一目标深度的五分之四时，将所述第一腐蚀气体的流量减小一半；
当所述第一次腐蚀的腐蚀深度达到所述第一目标深度时，停止通入所述第一腐蚀气体，在具有氢气的环境下进行第一次烘烤；
通入流量为100-600sccm的第二腐蚀气体，进行二次腐蚀；
当所述二次腐蚀的腐蚀深度达到第二目标深度时，停止通入所述第二腐蚀气体，通入砷烷进行二次烘烤；其中所述第二目标深度与所述第一目标深度的比值范围为五分之一至四分之一，所述第一目标深度与所述第二目标深度之和等于所述石墨件上的沉积物的厚度；
当达到预设条件时，停止加热，停止通入砷烷；
其中，所述第一腐蚀气体的腐蚀速率大于所述第二腐蚀气体的腐蚀速率；所述第一腐蚀气体为氯化氢或氯气；所述第二腐蚀气体为CBr4或CCl4。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次烘烤的时长范围为10分钟至60分钟。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二次烘烤的时长范围为10分钟至300分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过原位监测获取所述腐蚀深度。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
