[发明专利]一种MOCVD设备清洁方法

说明书

本申请实施例提供一种MOCVD设备清洁方法，所述MOCVD设备清洁方法包括：将待处理的石墨件置于MOCVD设备的反应室中，持续通入氢气；升高所述反应室的温度至目标温度；通入流量为100‑1000sccm的第一腐蚀气体，进行第一次腐蚀；当所述第一次腐蚀的腐蚀深度达到第一目标深度时，停止通入所述第一腐蚀气体，在具有氢气的环境下进行第一次烘烤；通入流量为100‑600sccm的第二腐蚀气体，进行二次腐蚀；当所述二次腐蚀的腐蚀深度达到第二目标深度时，停止通入所述第二腐蚀气体，通入砷烷进行二次烘烤；当达到预设条件时，停止加热，停止通入砷烷。本申请实现了在不破坏石墨件的同时，将石墨件清理干净。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种MOCVD设备清洁方法。

背景技术

MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相淀积)是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

MOCVD设备使用一段时间后，会在用于安置和加热衬底的石墨盘上形成沉积物，沉积物包裹在石墨盘上影响石墨的导热，同时附着在石墨盘上的沉积物在后续加热产品的制造过程中，对产品造成污染，影响产品质量。目前常用的清理石墨盘的方法是外加辅助设备进行高温处理，或者手动刮除沉积物，但是上述方法普遍存在清理不彻底，处理时间长，容易损坏石墨盘等问题。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种MOCVD设备清洁方法，用以实现在不破坏石墨件的同时，将石墨件清理干净，延长石墨件的使用寿命。

本申请实施例第一方面提供了一种MOCVD设备清洁方法，包括：将待处理的石墨件置于MOCVD设备的反应室中，持续通入氢气；升高所述反应室的温度至目标温度；通入流量为100-1000sccm的第一腐蚀气体，进行第一次腐蚀；当所述第一次腐蚀的腐蚀深度达到第一目标深度时，停止通入所述第一腐蚀气体，在具有氢气的环境下进行第一次烘烤；通入流量为100-600sccm的第二腐蚀气体，进行二次腐蚀；当所述二次腐蚀的腐蚀深度达到第二目标深度时，停止通入所述第二腐蚀气体，通入砷烷进行二次烘烤；当达到预设条件时，停止加热，停止通入砷烷。

于一实施例中，在所述当所述第一次腐蚀的腐蚀深度达到第一目标深度时，停止通入所述第一腐蚀气体，在具有氢气的环境下进行第一次烘烤之前，还包括：当所述第一次腐蚀的腐蚀深度达到所述第一目标深度的五分之四时，将所述第一腐蚀气体的流量减小一半。

于一实施例中，所述第二目标深度与所述第一目标深度的比值范围为五分之一至四分之一，所述第一目标深度与所述第二目标深度之和等于所述石墨件上的沉积物的厚度。

于一实施例中，所述第一腐蚀气体为氯化氢或氯气。

于一实施例中，所述第二腐蚀气体为CBr₄或CCl₄。

于一实施例中，所述第一次烘烤的时长范围为10分钟至60分钟。

于一实施例中，所述二次烘烤的时长范围为10分钟至300分钟。

于一实施例中，所述目标温度的范围为650℃至850℃。

于一实施例中，通过原位监测获取所述腐蚀深度。

于一实施例中，所述第一腐蚀气体的腐蚀速率大于所述第二腐蚀气体的腐蚀速率。