[发明专利]膜包裹芯片粘附膜以及包括其的半导体封装件

权利要求书

1.一种膜包裹芯片粘附膜，其特征在于，包括层叠结构，上述层叠结构包括：

粘附层；以及

支撑层，层叠于上述粘附层的一面。

2.根据权利要求1所述的膜包裹芯片粘附膜，其特征在于，

上述支撑层的表面能为40达因/cm以上，

上述支撑层的断裂伸长率为100％以下，上述粘附层的断裂伸长率为20％以上。

3.根据权利要求1所述的膜包裹芯片粘附膜，其特征在于，上述支撑层对上述粘附层的密着力为20gf/cm以上。

4.根据权利要求1所述的膜包裹芯片粘附膜，其特征在于，上述支撑层的玻璃化转变温度为130℃以上。

5.一种膜包裹芯片粘附膜，其特征在于，包括探头粘着性检测值为15gf以下、在110℃的温度下的熔融粘度为2000～9000Pa·s的粘附层。

6.根据权利要求5所述的膜包裹芯片粘附膜，其特征在于，还包括层叠于上述粘附层的一面的支撑层。

7.根据权利要求1或5所述的膜包裹芯片粘附膜，其特征在于，还包括层叠于上述粘附膜的另一面的离型膜。

8.根据权利要求1或5所述的膜包裹芯片粘附膜，其特征在于，上述支撑层包含聚酰亚胺、聚酰亚胺酰胺、聚醚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯以及聚醚醚酮中的一种以上的材料。

9.根据权利要求1或5所述的膜包裹芯片粘附膜，其特征在于，上述粘附层包含丙烯酸共聚物、环氧树脂以及无机填充剂。

10.根据权利要求9所述的膜包裹芯片粘附膜，其特征在于，上述丙烯酸共聚物包含玻璃化转变温度为0℃～20℃以及重均分子量为100000～500000的丙烯酸共聚物。

11.根据权利要求9所述的膜包裹芯片粘附膜，其特征在于，上述环氧树脂包含双酚类环氧树脂、联苯类环氧树脂、萘类环氧树脂、芴类环氧树脂、酚醛类环氧树脂、甲酚酚醛类环氧树脂、三羟基苯甲烷类环氧树脂以及四苯甲烷类环氧树脂中的一种以上。

12.根据权利要求9所述的膜包裹芯片粘附膜，其特征在于，上述环氧树脂包含：

在10℃～35℃的温度下呈液态的环氧树脂；以及

在10℃～35℃的温度下呈固态的环氧树脂。

13.根据权利要求1或5所述的膜包裹芯片粘附膜，其特征在于，上述粘附层具有60～150μm的厚度。

14.根据权利要求1或6所述的膜包裹芯片粘附膜，其特征在于，上述支撑层具有5～50μm的厚度。

15.一种半导体封装件，其特征在于，包括：

基板；

控制器芯片，安装于上述基板的上部；

膜包裹芯片粘附膜，形成于上述基板的上部；以及

半导体芯片，层叠于上述膜包裹芯片粘附膜上，

上述膜包裹芯片粘附膜包括层叠结构，上述层叠结构包括：粘附层；以及支撑层，层叠于上述粘附层的一面，

上述控制器芯片的至少一部分包埋于上述粘附层的内部。

16.根据权利要求15所述的半导体封装件，其特征在于，

上述支撑层的表面能为40达因/cm以上，

上述支撑层的断裂伸长率为100％以下，上述粘附层的断裂伸长率为20％以上。

17.根据权利要求15所述的半导体封装件，其特征在于，上述支撑层对上述粘附层的密着力为20gf/cm以上。