[发明专利]基板处理系统和基板处理方法在审
申请号: | 202010626641.3 | 申请日: | 2020-07-01 |
公开(公告)号: | CN112201590A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 滝本雄二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 方法 | ||
1.一种基板处理系统,具备:
基板搬送装置,其搬送基板;
多个处理单元,所述多个处理单元的各处理单元具有将从所述基板搬送装置接受的所述基板以能够旋转的方式保持的基板保持机构、以及向被保持于所述基板保持机构的所述基板供给处理流体的处理流体供给部;以及
控制部,其构成为按照表示基板处理工艺的内容的处理制程信息来控制所述基板搬送装置和所述多个处理单元以执行所述基板处理工艺,所述基板处理工艺包括对所述基板供给药液的基板药液处理、对所述基板供给冲洗液的基板冲洗处理以及使所述基板干燥的基板干燥处理,
其中,所述控制部构成为:在所述多个处理单元中的某个处理单元发生异常而无法完成针对作为处理对象的所述基板的所述基板处理工艺的情况下,按照表示补充处理工艺的内容的补充制程信息来控制所述基板搬送装置和救济处理单元,以将作为所述处理对象的所述基板即救济基板搬送至救济处理单元并在所述救济处理单元中对所述救济基板执行所述补充处理工艺,所述救济处理单元是与所述某个处理单元不同的处理单元。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,
所述补充处理工艺中包括的处理是根据在所述某个处理单元中所述救济基板实际接受的处理的内容来决定的。
3.根据权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,
所述补充处理工艺包括使针对所述救济基板的所述基板药液处理完成的补充药液处理。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理系统,其特征在于,
所述控制部构成为:按照表示救济处理工艺的内容的救济制程信息来控制所述某个处理单元,以在发生所述异常后在所述某个处理单元中对所述救济基板执行所述救济处理工艺。
5.根据权利要求4所述的基板处理系统,其特征在于,
所述补充处理工艺中包括的处理是基于从所述救济处理工艺完成后至开始执行所述补充处理工艺为止的时间来决定的。
6.根据权利要求4所述的基板处理系统,其特征在于,
所述救济处理工艺是根据在发生所述异常时所述救济基板已受到的处理的内容来决定的。
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理系统,其特征在于,
所述控制部构成为:基于在所述某个处理单元中所述救济基板在即将发生所述异常之前接受的处理的内容来决定是否对所述救济基板执行所述补充处理工艺,在决定为执行所述补充处理工艺的情况下,按照所述补充制程信息来控制所述基板搬送装置和所述救济处理单元,以将所述救济基板搬送至所述救济处理单元来执行所述补充处理工艺。
8.根据权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于,
在即将发生所述异常之前已经对所述救济基板供给了所述基板药液处理中应使用的所述药液的总量的规定比例以上的所述药液的情况下,所述控制部决定为不执行所述补充处理工艺。
9.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理系统,其特征在于,
所述控制部构成为:在发生所述异常之后,控制所述基板搬送装置,以使所述基板不被搬送至所述某个处理单元。
10.一种基板处理方法,包括:
按照处理制程信息控制基板搬送装置和多个处理单元来执行基板处理工艺,其中,所述基板搬送装置搬送基板,所述多个处理单元的各处理单元具有将从所述基板搬送装置接受的所述基板以能够旋转的方式保持的基板保持机构以及向被保持于所述基板保持机构的所述基板供给处理流体的处理流体供给部,所述基板处理工艺包括对所述基板供给药液的基板药液处理、对所述基板供给冲洗液的基板冲洗处理以及使所述基板干燥的基板干燥处理;以及
在所述多个处理单元中的某个处理单元发生异常而无法完成针对作为处理对象的所述基板进行的所述基板处理工艺的情况下,按照补充制程信息控制所述基板搬送装置和救济处理单元,来将作为所述处理对象的所述基板即救济基板搬送至所述救济处理单元并在所述救济处理单元中对所述救济基板执行补充处理工艺,所述救济处理单元是与所述某个处理单元不同的处理单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造