[发明专利]吲哚并[3,2,1-kl]吩噁嗪化合物、其制备方法与应用以及电子器件有效
申请号: | 202010626995.8 | 申请日: | 2020-07-02 |
公开(公告)号: | CN111704624B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 廖良生;蒋佐权;朱向东 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | C07D498/06 | 分类号: | C07D498/06;C07D519/00;C09K11/06;H10K85/10;H10K85/60;H10K50/15;H10K30/10;H10K10/46 |
代理公司: | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 叶栋 |
地址: | 215104 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 吲哚 kl 吩噁嗪 化合物 制备 方法 应用 以及 电子器件 | ||
1.一种吲哚并[3,2,1-kl]吩噁嗪化合物,其特征在于,选自以下通式中的任一种:
2.一种电子器件,其特征在于,其包括:第一电极、与所述第一电极对置而具备的第二电极、以及夹在所述第一电极与所述第二电极之间的至少一个空穴传输层,所述空穴传输层包含权利要求1所述的吲哚并[3,2,1-kl]吩噁嗪化合物。
3.根据权利要求1所述的吲哚并[3,2,1-kl]吩噁嗪化合物在电子器件中作为发光材料、电子传输材料、电子阻挡材料、空穴注入材料或空穴阻挡材料的应用,所述电子器件为钙钛矿太阳能电池。
4.根据权利要求1所述的吲哚并[3,2,1-kl]吩噁嗪化合物在制备空穴传输层的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学,未经苏州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010626995.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种重载桁架搬运机器人
- 下一篇:一种医用超声检查乳房固定装置