[发明专利]吲哚并[3,2,1-kl]吩噁嗪化合物、其制备方法与应用以及电子器件有效

专利信息
申请号: 202010626995.8 申请日: 2020-07-02
公开(公告)号: CN111704624B 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 廖良生;蒋佐权;朱向东 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: C07D498/06 分类号: C07D498/06;C07D519/00;C09K11/06;H10K85/10;H10K85/60;H10K50/15;H10K30/10;H10K10/46
代理公司: 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 代理人: 叶栋
地址: 215104 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 吲哚 kl 吩噁嗪 化合物 制备 方法 应用 以及 电子器件
【权利要求书】:

1.一种吲哚并[3,2,1-kl]吩噁嗪化合物,其特征在于,选自以下通式中的任一种:

2.一种电子器件,其特征在于,其包括:第一电极、与所述第一电极对置而具备的第二电极、以及夹在所述第一电极与所述第二电极之间的至少一个空穴传输层,所述空穴传输层包含权利要求1所述的吲哚并[3,2,1-kl]吩噁嗪化合物。

3.根据权利要求1所述的吲哚并[3,2,1-kl]吩噁嗪化合物在电子器件中作为发光材料、电子传输材料、电子阻挡材料、空穴注入材料或空穴阻挡材料的应用,所述电子器件为钙钛矿太阳能电池。

4.根据权利要求1所述的吲哚并[3,2,1-kl]吩噁嗪化合物在制备空穴传输层的应用。

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