[发明专利]一种铜靶材组件的除锈打磨方法

说明书

本发明涉及一种铜靶材组件的除锈打磨方法，所述除锈打磨方法包括：利用打磨介质对所述铜靶材组件的锈面依次进行锈面打磨和纹路打磨；打磨后所述锈面的粗糙度Ra≤0.8μm；所述纹路打磨从锈面的中心点处开始打磨。通过本发明提供的除锈打磨方法通过利用锈面打磨和纹路打磨之间的协同作用同时控制打磨后锈面的粗糙度，不仅实现了通靶材组件中锈面的去除，同时经打磨后靶材的性能完好，没有任何变化。进而有效的避免锈面在使用过程或溅射中异常放电的产生。

技术领域

本发明涉及除锈领域，涉及一种除锈打磨方法，具体涉及一种铜靶材组件的除锈打磨方法。

背景技术

在半导体芯片生产的过程中，对于靶材的外观清洁等要求非常高，不能有伤或脏污杂质。在靶材进行清洗干燥包装前一定要确保靶材是洁净无杂质无氧化锈迹的。如CN108213855A公开了种铜靶材组件及其制造方法，所述制造方法包括：提供背板和铜靶材，所述背板包括第一焊接面，所述铜靶材包括第二焊接面；在所述第一焊接面上形成由多个凸起构成的花纹；将所述第二焊接面与形成有花纹的第一焊接面相对设置并贴合形成初始组件；对所述初始组件进行焊接处理，使所述第一焊接面内的凸起嵌入所述第二焊接面内，在所述铜靶材和所述背板之间形成焊接层，所述焊接层的厚度大于或等于所述凸起的高度，以获得铜靶材组件。其技术方案能够有效的减少在焊接层中出现缝隙的可能，从而能够有效的改善所形成铜靶材组件的质量和性能，有利于提高所制作半导体芯片的良率和性能。

CN106558479A公开了一种靶材组件及其加工方法，其中加工方法包括：形成靶材组件，靶材组件包括背板以及与背板相连的靶材，背板与靶材相连的一面为正面，靶材包括与带电粒子发生碰撞的溅射面和与溅射面通过倒角相连的侧面；靶材侧面与倒角的连接处和靶材侧面与背板正面连接处之间的区域构成靶材组件表面的吸附区域；对靶材组件表面的吸附区域进行喷砂处理。其通过对靶材组件表面用于吸附反溅射物的吸附区域进行喷砂处理，以提高靶材组件表面吸附区域的粗糙程度，提高靶材组件的吸附能力，降低吸附颗粒物剥落和尖端放电等现象出现的可能，延长了靶材的使用寿命，减少了由于吸附颗粒物剥落而导致的产品报废现象的出现，提高了产品的良品率。

CN109385608A公开了一种靶材组件及其制造方法，制造方法包括：提供靶材、以及与靶材实现焊接结合的背板，形成靶材组件，靶材厚度占靶材组件厚度的比例至少为60％。其中靶材厚度占靶材组件厚度的比例至少为60％，与所占比例较小的方案相比，能够在保持靶材组件厚度不变的情况下增加靶材的厚度，使得靶材能够用于溅射的材料相应增多，从而有效延长靶材组件的使用寿命，进而有效地减少更换靶材组件的频率，有利于工艺效率的提高、工艺成本的降低；同时，由于能够使靶材组件厚度保持不变，因此溅射机台无需对靶材与待成膜产品(例如：晶圆)的间距进行调整，从而避免对靶材组件的初期溅射速率和成膜均匀性起到不良。

然而Cu靶在空气中时间越长氧化生锈就越严重，而锈迹会污染溅射腔体，导致如Arcing等异常现象发生。但加工制造靶材需各种工序完成，控制或减少生锈概率的方法不是很有效且浪费大量人力物力，主要是因Cu材料要暴露在空气中。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种铜靶材组件的除锈打磨方法，通过本发明提供的除锈打磨方法可实现通靶材组件中锈面的去除，同时经打磨后靶材的性能完好，没有任何变化。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种铜靶材组件的除锈打磨方法，所述除锈方法包括：

利用打磨介质对所述铜靶材组件的锈面依次进行锈面打磨和纹路打磨；打磨后所述锈面的粗糙度Ra≤0.8μm；所述纹路打磨从锈面的中心点处开始打磨。

通过本发明提供的除锈打磨方法通过利用锈面打磨和纹路打磨之间的协同作用同时控制打磨后锈面的粗糙度，不仅实现了通靶材组件中锈面的去除，同时经打磨后靶材的性能完好，没有任何变化。进而有效的避免锈面在使用过程或溅射中异常放电的产生。