[发明专利]一种单晶硅生长炉的外部装料机构在审

专利信息
申请号: 202010630231.6 申请日: 2020-07-03
公开(公告)号: CN111733446A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 吴颖凯 申请(专利权)人: 吴颖凯
主分类号: C30B15/02 分类号: C30B15/02;C30B29/06
代理公司: 北京世誉鑫诚专利代理有限公司 11368 代理人: 魏敬宣
地址: 325200 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 单晶硅 生长 外部 装料 机构
【说明书】:

发明公开了一种单晶硅生长炉的外部装料机构,包括生长炉炉体,生长炉炉体的两侧上端均固定连接有支撑板,支撑板的上端共同固定连接有安装板,安装板的两侧之间的距离比两个支撑板之间的距离大,安装板的一侧安装有上料机构,安装板的中部安装有注料机构,安装板的中部安装有四个辅助支撑机构,本发明的安装板上设置了注料机构,注料机构的分流板插在生长炉炉体的内部,当单晶硅原料落入固定罩的内部时,分流板会将单晶硅原料分成多股,分流后的单晶硅原料会沿着分流板落到生长炉炉体的内侧壁上,并沿着生长炉炉体的内侧壁落到生长炉炉体的内部下端,可防止单晶硅原料直接进入生长炉炉体的内部,损坏生长炉炉体。

技术领域

本发明涉及一种装料机构,特别涉及一种单晶硅生长炉的外部装料机构,属于单晶硅加工技术领域。

背景技术

单晶硅是一种良好的半导材料,用于制造半导体器件、太阳能电池等。而高纯度的多晶硅是在单晶炉内拉制而成,单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备。

目前工作人员大都直接将单晶硅原料投入单晶硅生长炉的炉体中,投放的过程中,块状的单晶硅原料容易损坏单晶硅生长炉的炉体,且投放之后直接利用单晶硅生长炉上内的加热装置对单晶硅原料进行加热熔化,由于单晶硅的体积较大,需要加热熔化的时间较长,降低了单晶硅生长炉的工作效率。

发明内容

本发明提供一种单晶硅生长炉的外部装料机构,有效的解决了现有技术中存在的问题。

为了解决上述技术问题,本发明提供了如下的技术方案:

本发明一种单晶硅生长炉的外部装料机构,包括生长炉炉体,所述生长炉炉体的两侧上端均固定连接有支撑板,所述支撑板的上端共同固定连接有安装板,所述安装板的两侧之间的距离比两个支撑板之间的距离大,所述安装板的一侧安装有上料机构,所述安装板的中部安装有注料机构,所述安装板的中部安装有四个辅助支撑机构,四个所述辅助支撑机构分别位于安装板的中部四拐角处,所述安装板的上端固定连接有支撑架,所述支撑架呈U形结构且和安装板位于同一条中垂线上,所述支撑架的内部上端滑动连接有横板,所述横板和安装板位于同一条中垂线上,所述横板的上端四拐角处均贯穿开设有通孔,所述横板上开设的四个通孔和安装板上安装的四个辅助支撑机构一一对应,所述支撑架外部上端的中部固定连接有液压缸,所述液压缸的活塞杆朝下且活塞杆贯穿支撑架的上端侧壁且固定连接在横板的上端,所述液压缸的活塞杆滑动连接在支撑架的上端侧壁上。

作为本发明的一种优选技术方案,所述注料机构包括固定罩,所述固定罩位于安装板的下方,所述固定罩的上端中部固定连接有固定管,所述固定管的上端贯穿且滑动连接在安装板上,所述固定管的一侧上端贯穿开设有滑孔,所述固定罩的内部设有分流板,所述分流板呈圆台形结构,所述分流板的下端位于固定罩的外部下端,所述固定罩的两侧和前后部均固定连接有连接板,所述连接板的下端均固定连接在分流板的圆周外壁上。

作为本发明的一种优选技术方案,所述上料机构包括壳体,所述壳体固定连接在安装板上,所述壳体靠近安装板的一侧上端固定连接有输送管,所述输送管远离壳体的一端穿过注料机构的滑孔延伸至注料机构的固定管内部,所述壳体靠近安装板的一侧下端固定连接有固定板,所述固定板远离壳体的一侧固定连接在同侧支撑板上,所述壳体远离安装板的一侧下端开设有进料口,所述壳体的下端固定连接有电机,所述电机的输出端朝上且输出端上固定连接有输送杆,所述输送杆的上端贯穿壳体的下端侧壁且转动连接在壳体的上端内壁上,所述输送杆的下端通过密封轴承固定连接在壳体的下端侧壁上,所述输送杆位于壳体内部的外壁上固定连接有转板。

作为本发明的一种优选技术方案,所述输送管呈倾斜设置,所述输送管靠近壳体的一端较高,所述输送管远离壳体的一端较低。

作为本发明的一种优选技术方案,所述壳体远离安装板的一侧下端固定连接有进料斗,所述进料斗的内部和进料口相通。

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