[发明专利]一种工作于W波段具备高隔离度的基片集成波导功分器有效
| 申请号： | 202010630257.0 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111525221B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 冯琳;周沛翰;薛伟;符博;丁卓富 | 申请（专利权）人： | 成都雷电微力科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01P5/16 | 分类号： | H01P5/16 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 封浪 |
| 地址： | 610041 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 工作 波段 具备 隔离 集成 波导 功分器 | ||
1.一种工作于W波段具备高隔离度的基片集成波导功分器，所述基片集成波导功分器成T型；其特征在于，所述基片集成波导功分器包括软基片（1）和隔离电阻（2），所述隔离电阻（2）为陶瓷薄膜电阻；所述软基片（1）的两表面分别设置有接地层（14、15）；所述软基片（1）中心位置设计有第一金属化接地过孔（12），至少在所述第一金属化接地过孔（12）的两侧设置有两个隔离槽（11），两个所述隔离槽（11）靠隔离电阻（2）一侧，沿信号输入端口（16）的轴线方向排列；所述软基片（1）的两边设置有两列第二金属化接地过孔（13）；所述隔离电阻（2）覆盖所述第一金属化接地过孔（12）和两个所述隔离槽（11）。
2.如权利要求1所述的工作于W波段具备高隔离度的基片集成波导功分器，其特征在于，所述隔离槽（11）为矩形。
3.如权利要求1所述的工作于W波段具备高隔离度的基片集成波导功分器，其特征在于，所述软基片（1）采用duroid 5880或者TLY-5作为基片材料。
4.如权利要求3所述的工作于W波段具备高隔离度的基片集成波导功分器，其特征在于，所述软基片（1）的厚度为0.127mm。
5.如权利要求1所述的工作于W波段具备高隔离度的基片集成波导功分器，其特征在于，所述陶瓷薄膜电阻厚度为0.254mm，阻值为47欧。
6.如权利要求1或5所述的工作于W波段具备高隔离度的基片集成波导功分器，其特征在于，所述隔离电阻（2）通过导电银胶粘接于所述软基片（1）上。
7.如权利要求1所述的工作于W波段具备高隔离度的基片集成波导功分器，其特征在于，所述第一金属化接地过孔（12）和/或所述第二金属化接地过孔（13）的孔径为0.3mm。
8.如权利要求1所述的工作于W波段具备高隔离度的基片集成波导功分器，其特征在于，所述软基片（1）的两表面设置的接地层（14、15）的厚度均为0.5盎司。
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