[发明专利]静电吸盘及晶片处理装置

权利要求书

1.一种静电吸盘，具备：

多结晶陶瓷烧结体即陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与所述第1主面相反侧的第2主面；

电极层，设置于所述陶瓷电介体基板；

基座板，设置在所述第2主面侧而支撑所述陶瓷电介体基板；

及加热器，设置在所述电极层与所述基座板之间，其特征为，

所述基座板具有：通孔，贯通所述基座板；及连通路，使调整所述处理对象物温度的介质通过，

在垂直于所述第1主面的方向上观察时，所述加热器中的至少一部分存在于在从最接近所述通孔的所述连通路的第1部分观察时的所述通孔侧。

2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，在垂直于所述第1主面的方向上观察时，所述第1部分与所述通孔的中心轴之间的距离大于最接近所述通孔的所述加热器的第2部分与所述通孔的中心轴之间的距离。

3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征为，在垂直于所述第1主面的方向上观察时，通过所述第1部分和所述连通路中的所述通孔侧的任意2个部分的第1假想圆的中心，与通过所述第2部分和所述加热器中的所述通孔侧的任意2个部分的第2假想圆的中心之间的距离为0.2毫米以下。

4.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征为，在垂直于所述第1主面的方向上观察时，通过所述第1部分和所述连通路中的所述通孔侧的任意2个部分的第1假想圆的中心，与通过所述第2部分和所述加热器中的所述通孔侧的任意2个部分的第2假想圆的中心重叠。

5.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征为，在垂直于所述第1主面的方向上观察时，在所述第1部分中的所述连通路的宽度比在所述第2部分中的所述加热器的宽度更宽。

6.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征为，在垂直于所述第1主面的方向上观察时，相对于所述第2假想圆的圆周长度，所述第2假想圆与所述加热器相交的部分的长度为50％以上、80％以下。

7.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，

所述加热器具有：第1加热器，具有从第1方向朝着不同于所述第1方向的第2方向弯曲的第1折返部；

及第2加热器，设置成接近所述第1加热器且具有从第3方向朝着不同于所述第3方向的第4方向弯曲的第2折返部，

相对于所述第1折返部的圆形端部与所述第2折返部的圆形端部之间的距离，所述第1折返部与所述第2折返部之间的最接近距离为50％以上、小于100％。

8.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，在垂直于所述第1主面的方向上观察时，相对于所述陶瓷电介体基板的面积，所述加热器的面积比例为20％以上、80％以下。

9.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，在垂直于所述第1主面的方向上观察时，相对于所述陶瓷电介体基板的面积，所述连通路的面积比例为20％以上、80％以下。

10.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，在垂直于所述第1主面的方向上观察时，相对于所述连通路的面积，所述加热器的面积比例为60％以上、180％以下。

11.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，

还具备多个旁路电极，其设置在所述电极层与所述基座板之间，电连接于所述加热器，

所述多个旁路电极中的相互相邻的旁路电极彼此之间的距离为0.05毫米以上、10毫米以下。

12.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，

还具备多个旁路电极，其设置在所述电极层与所述基座板之间，电连接于所述加热器，

所述多个旁路电极中的相互相邻的旁路电极彼此之间的区域在沿向垂直于所述第1主面的方向上的长度为0.01毫米以上、1毫米以下。

13.一种晶片处理装置，其特征为，具备权利要求1所述的静电吸盘。