[发明专利]静电吸盘及晶片处理装置

说明书

本发明提供一种静电吸盘，具备：多结晶陶瓷烧结体即陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与第1主面相反侧的第2主面；电极层，设置于陶瓷电介体基板；基座板，设置在第2主面侧而支撑陶瓷电介体基板；及加热器，设置在电极层与基座板之间，其特征为，基座板具有：通孔，贯通基座板；及连通路，使调整处理对象物温度的介质通过，在垂直于第1主面的方向上观察时，加热器中的至少一部分存在于在从最接近通孔的连通路的第1部分观察时的通孔侧。

本申请是申请日为2015年12月10日、发明名称为“静电吸盘及晶片处理装置”的、国家申请号为“201580066345.X”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的形态一般涉及一种静电吸盘及晶片处理装置。

背景技术

在进行蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition)、溅镀、离子注入、灰化等的等离子处理燃烧室内，作为吸附保持半导体晶片、玻璃基板等处理对象物的方法而使用静电吸盘。

静电吸盘是通过在氧化铝等陶瓷基体材料之间夹入电极并进行烧成而制作。静电吸盘如下，对内置的电极外加静电吸附用电力，通过静电力吸附硅片等基板。

近几年，在利用等离子的蚀刻装置中，存在等离子的高输出化的趋势。伴随等离子的高输出化，供向晶片的热量变高。当供向晶片的热量比较低时，静电吸盘的温度变化比较小，用比较小型的冷机就能够应对。另外，当供向晶片的热量比较低时，为了在流程中使晶片达到所希望的温度，使用不需要冷媒的冷却用金属板或者改变冷机温度就能够充分应对。

但是，当供向晶片的热量比较高而陶瓷基体材料的温度上升时，晶片温度上升。这样，存在可用于晶片处理的材料被限定在高耐热性材料的问题。

另一方面，为了使晶片面内的温度分布均匀化，存在内置加热器的静电吸盘。

希望提高晶片面内的温度分布的均匀化。

专利文献1：日本国特开2008-300491号公报

专利文献2：日本国特开2004-312026号公报

发明内容

本发明是基于这样的课题的认识而进行的，所要解决的技术问题是提供一种静电吸盘及晶片处理装置，其能够提高处理对象物面内的温度分布的均匀化。

根据本发明的一个形态，提供一种静电吸盘，具备：多结晶陶瓷烧结体即陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与所述第1主面相反侧的第2主面；电极层，设置于所述陶瓷电介体基板；基座板，设置在所述第2主面侧而支撑所述陶瓷电介体基板；及加热器，设置在所述电极层与所述基座板之间，其特征为，所述基座板具有：通孔，贯通所述基座板；及连通路，使调整所述处理对象物温度的介质通过，在垂直于所述第1主面的方向上观察时，所述加热器中的至少一部分存在于在从最接近所述通孔的所述连通路的第1部分观察时的所述通孔侧。

附图说明

图1是例示本实施方式所涉及的静电吸盘结构的模式化剖视图。

图2是表示本实施方式的通孔附近的模式化俯视图。

图3是表示本实施方式的通孔附近的模式化俯视图。

图4是表示本实施方式的加热器的折返部的模式化俯视图。

图5是表示本实施方式的其他通孔附近的模式化俯视图。

图6(a)及图6(b)是表示本实施方式的其他通孔附近的模式化俯视图。

图7(a)及图7(b)是表示本实施方式的其他通孔附近的模式化俯视图。

图8是例示周长比率与温度降低率之间关系的一个例子的曲线图。