[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括沿第一方向依次层叠设置的衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、非晶硅有源层、N+非晶硅层、第二金属层、钝化层以及像素电极，所述像素电极沿第二方向的部分区域的正投影面积与所述N+非晶硅层沿所述第二方向的部分区域的正投影面积重叠；其中，

所述非晶硅有源层正对于所述N+非晶硅层进行设置，且所述非晶硅有源层与所述N+非晶硅层在所述第二方向正投影的长度相等；所述像素电极为耦合电容的上极板，当背光亮时，所述非晶硅有源层为耦合电容的下极板；当背光暗时，所述N+非晶硅层为所述耦合电容的下极板。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一方向垂直于所述第二方向。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述非晶硅有源层沿所述第一方向的正投影长度大于所述N+非晶硅层沿所述第一方向的正投影长度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层的材料为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或多种的堆栈组合。

5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，采用如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，该方法包括以下步骤：

S10，提供衬底基板，并在所述衬底基板一侧沿第一方向依次形成第一金属层、第一绝缘层、非晶硅有源层、N+非晶硅层、第二金属层以及光刻胶层；

S20，对所述第二金属层进行第一次湿法刻蚀；

S30，对所述光刻胶层进行灰化处理，此时所述光刻胶层沿第二方向的长度大于所述第二金属层沿第二方向的长度；

S40，所述光刻胶层作为掩膜板，采用干法刻蚀所述非晶硅有源层与所述N+非晶硅层，使得所述非晶硅有源层与所述N+非晶硅层沿第二方向的正投影长度相等；

S50，对所述第二金属层进行第二次湿法刻蚀；

S60，对所述第一绝缘层进行第二次干法刻蚀；

S70，剥离掉所述光刻胶层，再在所述第二金属层背离所述衬底基板的一侧形成钝化层以及像素电极；所述像素电极沿所述第二方向的部分区域的正投影面积与所述N+非晶硅层沿所述第二方向的部分区域的正投影面积重叠，所述像素电极为耦合电容的上极板，当背光亮时，所述非晶硅有源层为耦合电容的下基板；当背光暗时，所述N+非晶硅层为所述耦合电容的下基板。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述光刻胶层为等腰梯形。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述等腰梯形有两个边平行于所述第二方向，分别为：第一边和第二边，所述第一边的长度小于所述第二边的长度。

8.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述非晶硅有源层平行且正对于所述光刻胶层第二边设置，且所述非晶硅有源层沿所述第二方向的长度等于所述光刻胶层第二边的长度。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：权利要求1所述的阵列基板，平行且正对于所述阵列基板设置的彩膜基板以及设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。