[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板有效

专利信息
申请号: 202010633416.2 申请日: 2020-07-02
公开(公告)号: CN111785735B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 孙圣 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 显示 面板
【说明书】:

一种阵列基板及其制作方法、显示面板,所述阵列基板包括沿第一方向依次层叠设置的衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、非晶硅有源层、N+非晶硅层、第二金属层、钝化层以及像素电极;其中,所述非晶硅有源层正对于所述N+非晶硅层进行设置,且所述非晶硅有源层与所述N+非晶硅层在第二方向正投影的长度相等;有益效果为:当背光亮度发生变化时,耦合电容Cpd上下极板的交叠面积始终不发生变化,即耦合电容Cpd的电容值不发生变化,进而减小了显示面板显示时出现水波纹影响显示质量的情况。

技术领域

本申请涉及显示领域,特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

现有的液晶显示面板(LCD,Liquid Crystal Display)在显示时出现水平亮暗纹,即水波纹(waterfall);随着背光模组亮度的变化而发生变化,即当将所述背光模组的亮度值发生变化时,水波纹的宽度也随之变得不同。经研究发现,水波纹的产生也与电容的变化有关。当电容发生变化时,有水波纹产生;当电容不发生变化时,无水波纹产生。由公式:C=εS/d知,电容的变化与电容上下极板之间的接触面积S以及上下极板之间的高度差d有关。

现阶段的液晶显示面板为了节省电量,背光采用一种调光(dimming)模式,即电流信号为脉冲式的给入亮、暗信号,当背光亮时,所述非晶硅有源层As tail是半导体,受到光照后,变为导体开始导电,相当于增加了第二金属层的宽度,所以耦合电容Cpd(由像素电极和数据线构成,此处由像素电极与第二金属层构成)的下电极板为所述非晶硅有源层,耦合电容Cpd上下极板的交叠面积S即为所述非晶硅有源层与像素电极之间的交叠面积;当背光暗时,所述非晶硅有源层是半导体,无光照射时不导电,但所述N+非晶硅层N+tail是导体,无论有光或是无光是一直导电的,因此此时耦合电容Cpd的下基板为所述N+非晶硅层,耦合电容Cpd上下极板的交叠面积S即为所述N+非晶硅层与所述像素电极之间的交叠面积;当所述N+非晶硅层与所述非晶硅有源层的长度不同时,所述耦合电容Cpd在有光和无光时的电容值是不同的,因此,会导致显示面板在显示时出现水波纹的现象。

因此,现有的液晶显示面板技术中,还存在着液晶显示面板在有光与无光时,电容上下极板的接触面积的变化使得显示面板在显示时出现水波纹的问题,急需改进。

发明内容

本申请涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板,用于解决现有技术中存在着液晶显示面板在有光与无光时,电容上下极板的接触面积的变化使得显示面板在显示时出现水波纹的问题。

为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:

本申请提供的阵列基板,所述阵列基板包括沿第一方向依次层叠设置的衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、非晶硅有源层、N+非晶硅层、第二金属层、钝化层以及像素电极;其中,

所述非晶硅有源层正对于所述N+非晶硅层进行设置,且所述非晶硅有源层与所述N+非晶硅层在第二方向正投影的长度相等。

根据本申请提供的一种实施例,所述第一方向垂直于所述第二方向。

根据本申请提供的一种实施例,所述非晶硅有源层沿所述第一方向的正投影长度大于所述N+非晶硅层沿所述第一方向的正投影长度。

根据本申请提供的一种实施例,所述像素电极沿所述第二方向的部分区域的正投影面积与所述N+非晶硅层沿所述第二方向的部分区域的正投影面积重叠。

根据本申请提供的一种实施例,所述第一金属层与所述第二金属层的材料为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或多种的堆栈组合。

本申请还提供一种阵列基板的制作方法,采用上述所述的阵列基板,该方法包括以下步骤:

S10,提供衬底基板,并在所述衬底基板一侧沿第一方向依次形成第一金属层、第一绝缘层、非晶硅有源层、N+非晶硅层、第二金属层以及光刻胶层;

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