[发明专利]一种利用光热效应刻蚀SERS芯片的方法

权利要求书

1.一种可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构，其特征在于：包括，

包覆层和导波层，所述导波层为玻璃片，所述包覆层为金属薄膜，分布于所述导波层的上、下两面。

2.权利要求1所述的可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构，其特征在于：所述包覆层为使用蒸发镀膜法和/或磁控溅射法中的一种或几种制备所得。

3.如权利要求2所述的可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构，其特征在于：通过所述蒸发镀膜法制备的镀膜厚度为80～120nm，通过所述磁控溅射法制备的镀膜厚度为20～40nm。

4.如权利要求2所述的可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构，其特征在于：通过所述蒸发镀膜法制备的镀膜厚度为100nm，通过所述磁控溅射法制备的镀膜厚度为30nm。

5.如权利要求1～4任一所述的可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构，其特征在于：所述蒸发镀膜法的工艺为在真空度(6～10)×10^-4Pa下、电流90～110A下处理一定时间。

6.如权利要求1～4任一所述的可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构，其特征在于：所述磁控溅射法的工艺为在真空度(1～3)×10^-4Pa、氩气流量30～50、电压250～300V、电流25～40A下处理一定时间。

7.如权利要求6所述的可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构，其特征在于：具有阵列结构。