[发明专利]一种利用光热效应刻蚀SERS芯片的方法

说明书

本发明公开了一种利用光热效应刻蚀SERS芯片的方法。其中，一种可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构，其包括，包覆层和导波层，所述导波层为玻璃片，所述包覆层为金属薄膜，分布于所述导波层的上、下两面。所述包覆层为使用蒸发镀膜法和/或磁控溅射法中的一种或几种制备所得。通过所述蒸发镀膜法制备的镀膜厚度为80～120nm，通过所述磁控溅射法制备的镀膜厚度为20～40nm。本发明制备的普通平板波导结构具有阵列结构，操作简单，所需要的原料较为廉价，节约成本，且操作便捷，更适合工业化生产。

技术领域

本发明属于光热转换技术领域，具体涉及一种利用光热效应刻蚀SERS芯片的方法。

背景技术

目前，基于表面局域等离子体共振制备SERS基底的方式有金属溶胶法以及平面基底金属纳米阵列法，这些方法存在着不确定性并且价格昂贵。

发明内容

本部分的目的在于概述本发明的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和发明名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和发明名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本发明的范围。

鉴于上述的技术缺陷，提出了本发明。本发明制备了双面金属平板光波导结构，利用双面金属光波导所产生的超高阶导模之间电矢量的相互叠加，从而在导波层产生振荡场。导波层极大的场增强效应能够在衬底层产生热效应，我们利用热效应进行刻蚀SERS芯片。

因此，作为本发明其中一个方面，本发明克服现有技术中存在的不足，提供一种利用光热效应刻蚀SERS芯片的方法。

为解决上述技术问题，本发明提供了如下技术方案：一种可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构，其包括，包覆层和导波层，所述导波层为玻璃片，所述包覆层为金属薄膜，分布于所述导波层的上、下两面。

作为本发明所述的可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构的优选方案，其中：所述包覆层为使用蒸发镀膜法和/或磁控溅射法中的一种或几种制备所得。

作为本发明所述的可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构的优选方案，其中：通过所述蒸发镀膜法制备的镀膜厚度为80～120nm，通过所述磁控溅射法制备的镀膜厚度为20～40nm。

作为本发明所述的可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构的优选方案，其中：通过所述蒸发镀膜法制备的镀膜厚度为100nm，通过所述磁控溅射法制备的镀膜厚度为30nm。

作为本发明所述的可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构的优选方案，其中：所述蒸发镀膜法的工艺为在真空度(6～10)×10^-4Pa下、电流90～110A下处理一定时间。

作为本发明所述的可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构的优选方案，其中：所述磁控溅射法的工艺为在真空度(1～3)×10^-4Pa、氩气流量30～50、电压250～300V、电流25～40A下处理一定时间。

作为本发明所述的可用于用光热效应刻蚀SERS芯片的平板波导结构的优选方案，其中：具有阵列结构。

本发明的有益效果：

1、操作简单，不需要复杂的操作步骤并且对环境温度没有要求；

2、价格实惠，所需要的原料较为廉价，节约成本，且操作便捷，更适合工业化生产；

3、表征直接，可以直接用SEM进行表征，可以直接滴加探针分子测拉曼。

附图说明