[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，其包括以下步骤：

提供包封有待封装芯片的包封结构件，所述包封结构件包括相对的第一表面和第二表面，所述待封装芯片的正面对应于所述包封结构件的第一表面；

在所述包封结构件的第一表面形成开孔，所述开孔位于所述待封装芯片的外侧；

在所述包封结构件的第一表面上形成再布线结构、以及在所述包封结构件的第一表面上和所述开孔内形成金属保护件，所述再布线结构与所述待封装芯片的正面的焊垫电连接，且所述金属保护件位于所述再布线结构与所述待封装芯片的外侧。

2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述金属保护件沿厚度方向包括依次连接的固定部和保护部，所述固定部形成于所述开孔内，所述保护部形成于所述包封结构件的第一表面上，且所述保护部的上表面与所述再布线结构的上表面平齐。

3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述包封结构件的表面上形成再布线结构之前，所述半导体封装方法包括：

将所述待封装芯片贴装于载板上，所述待封装芯片的背面朝上，正面朝向所述载板；

通过包封层覆盖在所述待封装芯片以及露出的所述载板上，形成所述包封结构件；

剥离所述载板，露出带有所述待封装芯片的正面的所述包封结构件的第一表面。

4.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述包封结构件的第一表面形成开孔之后，在所述包封结构件的第一表面和所述开孔内形成金属保护件之前，所述半导体封装方法还包括：

在所述开孔的内表面形成金属层。

5.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述包封结构件的第一表面形成开孔中，所述开孔的深度小于所述包封结构件的厚度；或者，所述开孔的深度等于所述包封结构件的厚度。

6.如权利要求5所述的半导体封装方法，其特征在于，当所述开孔的深度等于所述包封结构件的厚度时，在所述包封结构件的第一表面上形成再布线结构、以及在所述包封结构件的第一表面上和所述开孔内形成金属保护件之后，所述半导体封装方法还包括：

在所述包封结构件的第二表面上形成散热片，所述散热片与露出于所述包封结构件的第二表面的所述金属保护件连接。

7.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述再布线结构与所述金属保护件在同一工艺步骤中形成，且所述金属保护件的上表面与所述再布线结构的上表面平齐。

8.一种半导体封装结构，其特征在于，其包括：

包封结构件，包括相对的第一表面和第二表面，所述包封结构件内包封有芯片，所述芯片的正面对应于所述包封结构件的第一表面，所述包封结构件的第一表面开设有开孔，所述开孔位于所述芯片的外侧；

再布线结构和金属保护件，所述再布线结构位于所述包封结构件的第一表面上，所述金属保护件位于所述包封结构件的第一表面上以及所述开孔中，且所述金属保护件位于所述再布线结构与所述芯片外侧，位于再布线结构外侧的金属保护件的至少一部分与位于所述芯片外侧的金属保护件部分一体连接，所述再布线结构与所述芯片的正面的焊垫电连接。

9.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属保护件沿厚度方向包括依次连接的固定部和保护部，所述固定部位于所述开孔内，所述保护部位于所述包封结构件的第一表面上，且所述保护部的上表面与所述再布线结构的上表面平齐。

10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属保护件的所述保护部的宽度大于所述金属保护件的所述固定部的宽度。

11.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述开孔的内表面覆设有金属层，所述金属层位于所述金属保护件的所述固定部的外侧。