[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构有效

专利信息
申请号: 202010635960.0 申请日: 2020-07-03
公开(公告)号: CN111883438B 公开(公告)日: 2022-09-30
发明(设计)人: 霍炎;涂旭峰 申请(专利权)人: 矽磐微电子(重庆)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/16;H01L23/31;H01L23/49;H01L23/498
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 曾莺华
地址: 401331 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 方法 结构
【说明书】:

本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。该半导体封装方法包括:提供包封有待封装芯片的包封结构件;在包封结构件的第一表面形成开孔,开孔位于待封装芯片的外侧;在包封结构件的第一表面上形成再布线结构、以及在包封结构件的第一表面上和开孔内形成金属保护件。该半导体封装结构通过该半导体封装方法制得。本申请通过设置金属保护件,能够有效吸收边缘的应力,保护其旁边的再布线结构,提高半导体封装结构的可靠性;通过在开孔中形成的金属保护件的部分结构,能够达到分散位于边缘的再布线结构所受到的应力目的,同时,能够提高金属保护件与塑封材料之间的结合力。

技术领域

本申请涉及一种半导体技术领域,尤其涉及一种半导体封装方法及半导体封装结构。

背景技术

目前,对于封装产品,当加热或者冷却时不同位置的引脚由于热膨胀系数不同,因此所受到的应力不同,而封装体最外侧引脚(边缘引脚)所受应力的影响最大。

另外,在封装产品中,通过铜布线导出的边缘引脚因为应力集中,在跌落测试和温度循环可靠性能力测试时,边缘引脚和焊锡接触部分有脱落的风险,严重时甚至会导致开裂。

因此,如何分散边缘引脚所受到的应力是本领域有待解决的一个难题。

发明内容

本申请的一个方面提供一种半导体封装方法,其包括以下步骤:

提供包封有待封装芯片的包封结构件,所述包封结构件包括相对的第一表面和第二表面,所述待封装芯片的正面对应于所述包封结构件的第一表面;

在所述包封结构件的第一表面形成开孔,所述开孔位于所述待封装芯片的外侧;

在所述包封结构件的第一表面上形成再布线结构、以及在所述包封结构件的第一表面上和所述开孔内形成金属保护件,所述再布线结构与所述待封装芯片的正面的焊垫电连接,且所述金属保护件位于所述再布线结构的外侧。

可选的,所述金属保护件沿厚度方向包括依次连接的固定部和保护部,所述固定部形成于所述开孔内,所述保护部形成于所述包封结构件的第一表面上,且所述保护部的上表面与所述再布线结构的上表面平齐。

可选的,在所述包封结构件的表面上形成再布线结构之前,所述半导体封装方法包括:

将所述待封装芯片贴装于载板上,所述待封装芯片的背面朝上,正面朝向所述载板;

通过包封层覆盖在所述待封装芯片以及露出的所述载板上,形成所述包封结构件;

剥离所述载板,露出带有所述待封装芯片的正面的所述包封结构件的第一表面。

可选的,在所述包封结构件的第一表面形成开孔之后,在所述包封结构件的第一表面和所述开孔内形成金属保护件之前,所述半导体封装方法还包括:

在所述开孔的内表面形成金属层。

可选的,在所述包封结构件的第一表面形成开孔中,所述开孔的深度小于所述包封结构件的厚度;或者,所述开孔的深度等于所述包封结构件的厚度。

可选的,当所述开孔的深度等于所述包封结构件的厚度时,在所述包封结构件的第一表面上形成再布线结构、以及在所述包封结构件的第一表面上和所述开孔内形成金属保护件之后,所述半导体封装方法还包括:

在所述包封结构件的第二表面上形成散热片,所述散热片与露出于所述包封结构件的第二表面的所述金属保护件连接。

可选的,所述再布线结构与所述金属保护件在同一工艺步骤中形成,且所述金属保护件的上表面与所述再布线结构的上表面平齐。

本申请的再一个方面提供一种半导体封装结构,其包括:

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