[发明专利]基板载置台、基板处理装置以及温度控制方法在审
申请号: | 202010636793.1 | 申请日: | 2020-07-03 |
公开(公告)号: | CN112216647A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 田村一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板载置台 处理 装置 以及 温度 控制 方法 | ||
本发明提供基板载置台、基板处理装置以及温度控制方法。将基板的温度分布控制为在分隔壁的内侧和外侧急剧变化。基板载置台包括:基部,其具有载置基板的载置面;环状的支承构件,其设于基部,沿着基板的外周侧支承基板;环状的分隔壁,其设于载置面,在载置于载置面的基板的径向上将载置面分隔为外侧区域和内侧区域;多个突起,其设于外侧区域和内侧区域处的载置面,以在分隔壁的上端面与基板间空开空隙的方式支承基板;外侧流路,其以与外侧区域连通的方式设于基部,供向基板与载置面间的空间供给的传热气体流动;内侧流路,其以与内侧区域连通的方式设于基部,供传热气体流动;环状的扩散部,其设于基部,使传热气体沿着分隔壁的周向扩散。
技术领域
以下的公开涉及基板载置台、基板处理装置以及温度控制方法。
背景技术
记载有一种构成为在基板载置侧的表面设有圆形的间隔壁而使热传递用气体在基板的下侧部分流通的基板载置台(专利文献1)。
专利文献1:日本特开2012-129547号公报
发明内容
本公开提供一种能够控制为使基板的温度分布在分隔壁的内侧和外侧急剧变化的技术。
本公开的一技术方案的基板载置台包括:基部,其具有载置基板的载置面;环状的支承构件,其设于基部,沿着基板的外周侧支承基板;环状的分隔壁,其设于载置面上,在载置于载置面的基板的径向上将载置面分隔为外侧区域和内侧区域;多个突起,其设于外侧区域和内侧区域处的载置面上,以在分隔壁的上端面与基板之间空开空隙的方式支承基板;外侧流路,其以与外侧区域连通的方式设于基部,供向基板与载置面之间的空间供给的传热气体流动;内侧流路,其以与内侧区域连通的方式设于基部,供传热气体流动;以及环状的扩散部,其设于基部,使传热气体沿着分隔壁的周向扩散。
根据本公开,能够控制为使基板的温度分布在分隔壁的内侧和外侧急剧变化。
附图说明
图1是表示第1实施方式所涉及的基板处理装置整体的示意图。
图2是用于说明第1实施方式所涉及的基板处理装置的传热气体的流动的示意图。
图3是表示第1实施方式所涉及的基板载置台的俯视图。
图4是表示第1实施方式所涉及的基板载置台的纵剖视图。
图5是放大表示第1实施方式所涉及的基板载置台的主要部位的纵剖视图。
图6是表示第2实施方式所涉及的基板载置台的俯视图。
图7是表示第2实施方式所涉及的基板载置台的纵剖视图。
图8是表示第2实施方式所涉及的基板载置台的主要部位的横剖视图。
图9是放大表示第2实施方式所涉及的基板载置台的主要部位的剖视图。
具体实施方式
以下,基于附图详细说明所公开的实施方式。此外,本实施方式并没有被限定。另外,各实施方式在处理内容不相矛盾的范围内能够适当组合。另外,在本说明书和附图中对实质上相同的结构标注相同的附图标记,并省略重复的说明。此外,以下的说明中,在基板处理装置的基板载置台上载置了作为基板的晶圆的情况下,从晶圆观察,将载置台侧称为下,将相反侧称为上。
(第1实施方式)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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