[发明专利]EUV光刻用防尘薄膜组件中适宜的接着剂以及用该接着剂的防尘薄膜组件

权利要求书

1.一种接着剂在EUV光刻用防尘薄膜组件中的应用，其中，相对于接着剂100质量份，不配合导热性填充剂90质量份、100～4000质量份或4500质量份，其特征在于，将该接着剂的硬化物在300℃的氛围气中7天连续静置时的用下述式表示的硬度的变化率为±50％的范围内，

式：硬度的变化率(％)＝{(所述静置后的硬度)－(所述静置前的硬度)}÷(所述静置前的硬度)×100。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述接着剂是硅系接着剂或环氧系接着剂。

3.一种接着剂在用于制造EUV光刻用防尘薄膜组件中的应用，其中，相对于接着剂100质量份，不配合导热性填充剂90质量份、100～4000质量份或4500质量份，其特征在于，将该接着剂的硬化物在300℃的氛围气中7天连续静置时的用下述式表示的硬度的变化率为±50％的范围内，

式：硬度的变化率(％)＝{(所述静置后的硬度)－(所述静置前的硬度)}÷(所述静置前的硬度)×100。

4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述接着剂是硅系接着剂或环氧系接着剂。

5.一种通过接着剂将防尘薄膜接着于防尘薄膜组件框架上而构成的EUV光刻用防尘薄膜组件，其特征在于，作为该接着剂，使用接着剂的硬化物在300℃的氛围气中7天连续静置时的用下述式表示的硬度的变化率为±50％的范围内的接着剂，但是，相对于接着剂100质量份，不配合导热性填充剂90质量份、100～4000质量份或4500质量份，

式：硬度的变化率(％)＝{(所述静置后的硬度)－(所述静置前的硬度)}÷(所述静置前的硬度)×100。

6.根据权利要求5所述的EUV光刻用防尘薄膜组件，其特征在于，所述接着剂是硅系接着剂或环氧系接着剂。

7.一种贴附有EUV光刻用防尘薄膜组件的光掩模，其特征在于，在光掩模上贴附权利要求5或6所述的EUV光刻用防尘薄膜组件。

8.一种通过接着剂将防尘薄膜接着于防尘薄膜组件框架上而构成的防尘薄膜组件在EUV光刻中的应用，其特征在于，作为该接着剂，使用接着剂的硬化物在300℃的氛围气中7天连续静置时的用下述式表示的硬度的变化率为±50％的范围内的接着剂，但是，相对于接着剂100质量份，不配合导热性填充剂90质量份、100～4000质量份或4500质量份，

式：硬度的变化率(％)＝{(所述静置后的硬度)－(所述静置前的硬度)}÷(所述静置前的硬度)×100。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述接着剂是硅系接着剂或环氧系接着剂。

10.一种通过接着剂将防尘薄膜接着于防尘薄膜组件框架上而构成的防尘薄膜组件在200℃～300℃的温度下的曝光中的应用，其特征在于，作为该接着剂，使用接着剂的硬化物在300℃的氛围气中7天连续静置时的用下述式表示的硬度的变化率为±50％的范围内的接着剂，但是，相对于接着剂100质量份，不配合导热性填充剂90质量份、100～4000质量份或4500质量份，

式：硬度的变化率(％)＝{(所述静置后的硬度)－(所述静置前的硬度)}÷(所述静置前的硬度)×100。

11.根据权利要求10所述的应用，其特征在于，所述接着剂是硅系接着剂或环氧系接着剂。

12.一种半导体的制造方法，其特征在于，使用权利要求7所述的贴附有EUV光刻用防尘薄膜组件的光掩模进行EUV曝光。