[发明专利]EUV光刻用防尘薄膜组件中适宜的接着剂以及用该接着剂的防尘薄膜组件

说明书

提供一种在EUV光刻用防尘薄膜组件中适宜的接着剂和使用其的防尘薄膜组件，该防尘薄膜组件的制造方法，以及EUV光刻用防尘薄膜组件中适宜的接着剂的选择方法。本发明的接着剂为，接着剂的硬化物在300℃的氛围气中进行7日连续静置时的用下述式表示的硬度的变化率为±50％的范围。式：硬度的变化率(％)＝{(所述静置后的硬度)－(所述静置前的硬度)}÷(所述静置前的硬度)×100。

本申请为2016年10月25日提交的名称为“EUV光刻用防尘薄膜组件中适宜的接着剂以及用该接着剂的防尘薄膜组件”、申请号为201610937977.5的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及，在EUV光刻用防尘薄膜组件中适宜的接着剂和用其的防尘薄膜组件，更具体的涉及，例如，在使用以13.5nm为主波长的EUV(Extreme Ultra-Violet)光进行光刻时在防尘薄膜组件中适宜的接着剂和用其的防尘薄膜组件。

背景技术

在LSI，超LSI等的半导体制造或液晶面板等的制造中，要将半导体晶圆或液晶用原板中用光照射，进行图案的制作，此时，如果使用的光掩模或中间掩模(以下，统称“光掩模”)上有灰尘附着，该灰尘会对照射光进行遮挡，反射，由此转印的图案的边缘不齐，还会使基底变黑等，从而对尺寸，品质，外观等有损害。

由此，这样的作业为通常无尘室中进行，但是即使如此，也难以老是保持光掩模清洁，所以，要在光掩模表面贴附作为防尘器使用的防尘薄膜组件后再进行曝光。如此，灰尘等的异物就不再光掩模的表面上附着，而是在防尘薄膜组件上附着，这样，光刻时只要将焦点对准光掩模的图案，异物的像就不会在转印图案中出现，上述问题就可以避免了。

这样的防尘薄膜组件，一般是光良好透过的硝酸纤维素，乙酸纤维素或氟树脂等构成的透明的防尘膜，在涂布有防尘膜的良溶媒并风干的由铝，不锈钢，聚乙烯等构成的防尘薄膜组件框架的上端面上接着(专利文献1参照)，或用丙烯酸树脂和环氧树脂等的接着剂接着(专利文献2参照)。进而，防尘薄膜组件框架的下端面，具有为了贴附光掩模的由聚丁烯树脂，聚乙酸乙烯基树脂，丙烯酸树脂，硅树脂等构成的粘着层以及保护粘着层的离型层(分离膜)。

但是，近年来，半导体装置以及液晶面板，越来越高集成化，细微化。现在，32nm程度的细微图案在光抗蚀膜上形成的技术也变得实用化。32nm程度的图案的场合，可以用，在半导体晶圆或液晶用原版和投影透镜之间充满超纯水等的液体，使用ArF准分子激光，在光抗蚀膜上进行曝光的液浸曝光技术和多重曝光等的以往的使用准分子激光的改良技术来进行对应。

但是，在下一代的半导体装置和液晶面板上要求形成进一步细微化的10nm以下的图案，但是这样细微化的10nm以下的图案的形成，用以往的使用准分子激光的曝光改良技术，就不行了。

因此，作为10nm以下的图案形成的方法，就变得必须使用以13.5nm为主波长的EUV光的EUV曝光技术了。使用这样的EUV曝光技术，在光抗蚀膜上制作10nm以下的细微的图案的场合，使用什么样的光源，使用什么样的光抗蚀，使用什么样的防尘薄膜组件等的技术的课题的解决就变得必须了，对于这样的技术课题，新的光源和新的光抗蚀材料，开发有了进展，各种的方案被提出。

其中，关于左右半导体装置或液晶面板的产率的防尘薄膜组件，例如，专利文献3中，记载了作为EUV光刻用防尘薄膜组件中使用的防尘膜，透明并且不产生光学变形的厚度0.1～2.0μm的硅制薄膜，但是在实用化的点上有未解决的问题，这样的问题成为EUV曝光技术实用化的大的障碍。

先行技术文献

专利文献

专利文献1特开昭58－219023号公报

专利文献2特公昭63－27707号公报

专利文献3美国专利第6623893号说明书