[发明专利]基板处理装置和方法

权利要求书

1.基板处理方法，包括：

提供基板处理装置，所述基板处理装置包括等离子体生成区域和与所述等离子体生成区域分隔开的处理区域；

在所述处理区域中布置包括硅层和氧化物层的基板；

在不经过所述等离子体生成区域的情况下，向所述处理区域提供氢基气体，从而在所述处理区域中形成氢气氛；

通过向所述等离子体生成区域提供氟基气体来生成等离子体；以及

将所生成的等离子体提供到所述处理区域，以相对于所述氧化物层选择性地去除所述硅层。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括：

在生成所述等离子体的阶段、在选择性地去除所述硅层的阶段、以及在去除所述硅层之后的预定时间段期间，不经过所述等离子体生成区域而向所述处理区域提供氢基气体。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

在形成所述氢气氛的阶段、在生成所述等离子体的阶段、在选择性地去除所述硅层的阶段、以及在去除所述硅层之后的预定时间段期间，所提供的所述氢基气体的流量是恒定的。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，选择性地去除所述硅层包括：

在第一处理阶段，以第一流量提供所述氢基气体；以及

在所述第一处理阶段之后的第二处理阶段，以大于所述第一流量的第二流量提供所述氢基气体。

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，还包括：

在形成所述氢气氛的阶段以及在生成所述等离子体的阶段，以所述第一流量提供所述氢基气体。

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述氢基气体包括氢或氨，以及

所述氟基气体包括三氟化氮或四氟化碳。

7.基板处理装置，包括：

等离子体生成模块，包括等离子体生成区域和用于向所述等离子体生成区域提供第一气体的第一气体提供单元，并且所述等离子体生成模块使用所述第一气体在所述等离子体生成区域内生成等离子体；

处理区域，与所述等离子体生成区域分隔开并用于处理基板；

支承模块，布置在所述处理区域内，并用于支承所述基板；以及

第二气体提供单元，在由所述等离子体生成模块生成所述等离子体之前的第一时间段期间、在使用由所述等离子体生成模块生成的所述等离子体来处理所述基板的处理阶段、以及在结束对所述基板的处理之后的第二时间段期间，不经过所述等离子体生成区域而向所述处理区域提供第二气体。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，

所述第一气体为氟基气体，以及所述第二气体为氢基气体。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，

所述基板包括硅层和氧化物层，以及

所述硅层通过所生成的等离子体而相对于所述氧化物层选择性地被去除。

10.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，

在生成所述等离子体之前的第一时间段期间、在使用由所述等离子体生成模块生成的等离子体来处理所述基板的处理阶段、以及在结束对所述基板的处理之后的第二时间段期间，由所述第二气体提供单元提供的第二气体的流量是恒定的。

11.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述等离子体生成模块通过电容耦合等离子体方式或电感耦合等离子体方式生成等离子体。

12.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，

所述第二气体提供单元包括向所述处理区域提供所述第二气体的气体喷射构件，以及

在处理所述基板的处理阶段，所述气体喷射构件的温度和所述支承模块的温度彼此相同。