[发明专利]基板处理装置和方法

说明书

本发明提供了一种使用等离子体处理基板的装置和方法，所述装置和方法具有提升的等离子体稳定性和工艺重复性。基板处理方法包括：提供基板处理装置，基板处理装置包括等离子体生成区域和与等离子体生成区域分隔开的处理区域；在处理区域内布置包括硅层和氧化物层的基板；在不经过等离子体生成区域的情况下，向处理区域提供氢基气体，从而在处理区域中形成氢气氛；通过向等离子体生成区域提供氟基气体来生成等离子体；以及将所生成的等离子体提供到处理区域，以相对于氧化物层选择性地去除硅层。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置及方法。

背景技术

在制造半导体装置或显示装置时，可以使用利用等离子体的基板处理工艺。利用等离子体的基板处理工艺根据生成等离子体的方式分为电容耦合等离子体(CCP：Capacitively Coupled Plasma)方式、电感耦合等离子体(ICP：Inductively CoupledPlasma)方式、经两者混合的方式等。

发明内容

解决的技术问题

然而，为了相对于氧化物(例如，SiO₂)选择性地去除硅(例如，多晶硅)，可以使用氟基气体和氢基气体来生成等离子体。但是，当改变影响选择比的气体(例如，氢基气体)的流量时，等离子体的稳定性可能会降低，工艺的重复性可能会出现问题。因此，难以扩大额外制程范围(process margin)。

本发明要实现的技术目的在于，提供一种提升等离子体稳定性及工艺重复性的、利用等离子体的基板处理装置。

本发明要实现的另一技术目的在于，提供一种提升等离子体稳定性及工艺重复性的、利用等离子体的基板处理方法。

本发明的目的不限于上述目的，本领域的技术人员通过下面的描述可以清楚地理解未提及的其他目的。

问题的解决方法

为实现上述技术目的的、根据本发明的基板处理方法的一方面包括：提供基板处理装置，基板处理装置包括等离子体生成区域和与等离子体生成区域分隔开的处理区域；在处理区域中布置包括硅层和氧化物层的基板；在不经过等离子体生成区域的情况下，向处理区域提供氢基气体，从而在处理区域中形成氢气氛；通过向等离子体生成区域提供氟基气体来生成等离子体；以及将所生成的等离子体提供到处理区域，以相对于氧化物层选择性地去除硅层。

另外，可以在生成等离子体的阶段、在选择性地去除硅层的阶段、以及在去除硅层之后的预定时间段期间，不经过等离子体生成区域而向处理区域提供氢基气体。

其中，在形成氢气氛的阶段、在生成等离子体的阶段、在选择性地去除硅层的阶段、以及在去除硅层之后的预定时间段期间，所提供的氢基气体的流量可以是恒定的。

另外，选择性地去除硅层可以包括：在第一处理阶段，以第一流量提供氢基气体；以及在第一处理阶段之后的第二处理阶段，以大于第一流量的第二流量提供氢基气体。

另外，在形成氢气氛的阶段以及在生成等离子体的阶段，可以以第一流量提供氢基气体。

另外，氢基气体可以包括氢或氨，且氟基气体可以包括三氟化氮或四氟化碳。

为实现本发明另一技术目的的、根据本发明的基板处理装置的一方面包括：等离子体生成模块，其包括等离子体生成区域和用于向等离子体生成区域提供第一气体的第一气体提供单元，并且等离子体生成模块使用第一气体在等离子体生成区域内生成等离子体；处理区域，其与等离子体生成区域分隔开并用于处理基板；支承模块，其布置在处理区域内，并用于支承基板；以及第二气体提供单元，其在由等离子体生成模块生成等离子体之前的第一时间段期间、在使用由等离子体生成模块生成的等离子体来处理基板的处理阶段、以及在结束对基板的处理之后的第二时间段期间，不经过等离子体生成区域而向处理区域提供第二气体。