[发明专利]半导体器件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

第一沟道区域，位于所述半导体衬底之上；

第二沟道区域，位于所述第一沟道区域之上；

栅极电介质层，围绕所述第一沟道区域和所述第二沟道区域；

功函数金属层，围绕所述栅极电介质层；以及

阻挡层，围绕所述功函数金属层，其中，围绕所述第一沟道区域的第一阻挡层与围绕所述第二沟道区域的第二阻挡层融合。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述功函数金属层包括n型功函数金属层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述功函数金属层包括p型功函数金属层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述阻挡层包括硅。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述功函数金属层包括氮化钛。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述阻挡层包括氮化钽。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述阻挡层包括硅。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述功函数金属层包括碳化钛铝。

9.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底之上形成沟道区域；

形成围绕所述沟道区域的栅极电介质层；

在所述栅极电介质层之上沉积功函数金属层；

在所述功函数金属层之上沉积阻挡层，其中，所述阻挡层、所述功函数金属层和所述栅极电介质层填充所述半导体衬底和所述沟道区域之间的开口；以及

在所述阻挡层之上沉积填充材料。

10.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

第一沟道区域，位于所述半导体衬底之上并与所述半导体衬底分开；

栅极电介质层，围绕所述第一沟道区域；

功函数金属层，围绕所述栅极电介质层，其中，所述功函数金属层在垂直于所述半导体衬底的主表面的方向上的厚度与所述功函数金属层在平行于所述半导体衬底的主表面的方向上的厚度相等；以及

阻挡层，围绕所述功函数金属层。