[发明专利]半导体封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010639263.2 申请日: 2020-07-06
公开(公告)号: CN112234034A 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 邱基综;谢慧英;李彗华;陈证元 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/48;H01L23/498;H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构,其包括:

基底材料;

至少一个半导体芯片,其安置在所述基底材料上;

封装体,其安置在所述基底材料上且覆盖所述至少一个半导体芯片;

重布层,其安置在所述封装体上且具有外侧表面;

润湿层,其安置在所述重布层的所述外侧表面上;以及

至少一个导电通孔,其安置于所述封装体中且电连接所述至少一个半导体芯片与所述重布层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述基底材料是引线框或有机衬底。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述基底材料界定腔,且所述至少一个半导体芯片安置于所述腔中。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述至少一个半导体芯片具有主动表面和与所述主动表面相对的背侧表面,所述至少一个半导体芯片的所述背侧表面附接到所述基底材料,且所述至少一个半导体芯片的所述主动表面面向所述重布层,且所述至少一个导电通孔电连接到所述至少一个半导体芯片的所述主动表面。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述重布层的所述外侧表面与所述封装体的外侧表面大体上共面。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述润湿层是焊料润湿层。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述润湿层是无电镀镍浸金层。

8.一种半导体封装结构,其包括:

基底材料;

至少一个半导体芯片,其安置在所述基底材料上;

封装体,其安置在所述基底材料上且覆盖所述至少一个半导体芯片,其中所述封装体具有外侧表面;

凹陷结构,其安置成与所述封装体的所述外侧表面相邻并从所述外侧表面中暴露;

重布层,其安置在所述封装体上;以及

至少一个导电通孔,其安置于所述封装体中且电连接所述至少一个半导体芯片与所述重布层。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构,其中所述凹陷结构是焊料润湿结构。

10.根据权利要求8所述的半导体封装结构,其中所述凹陷结构包含下部结构和安置在所述下部结构上的润湿层。

11.根据权利要求10所述的半导体封装结构,其中所述凹陷结构的所述下部结构和所述重布层是同一层。

12.根据权利要求10所述的半导体封装结构,其中所述润湿层是无电镀镍浸金层。

13.根据权利要求8所述的半导体封装结构,其中所述封装体界定用于容纳所述至少一个导电通孔的至少一个第一孔,和用于容纳所述凹陷结构的凹口结构,其中所述封装体的所述凹口结构的顶部部分的曲率半径大于或等于所述封装体的所述第一孔的顶部部分的曲率半径。

14.根据权利要求8所述的半导体封装结构,其中所述封装体进一步具有顶表面,所述凹陷结构具有底端,所述导电通孔具有底端,所述封装体的所述顶表面与所述凹陷结构的所述底端之间的距离小于所述封装体的所述顶表面与所述导电通孔的所述底端之间的距离。

15.根据权利要求8所述的半导体封装结构,其中所述封装体进一步具有顶表面,且所述凹陷结构的一部分安置在所述封装体的所述顶表面上。

16.根据权利要求8所述的半导体封装结构,其中所述封装体进一步具有顶表面和由所述顶表面和所述外侧表面界定的角部,且所述凹陷结构安置于所述角部。

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