[发明专利]半导体封装件在审

专利信息
申请号: 202010641308.X 申请日: 2020-07-06
公开(公告)号: CN112310001A 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 吴周贤;崔佑镇 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/485
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 陈亚男;刘灿强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

基底,具有上表面和下表面,在所述上表面上设置有多个第一垫,在所述下表面上设置有电连接到所述多个第一垫的多个第二垫;

半导体芯片,设置在所述基底的所述上表面上,所述半导体芯片具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,在所述第一表面上设置有连接到所述多个第一垫中的第一组的连接电极;

中介层,设置在所述半导体芯片的所述第二表面上,所述中介层具有上表面,在所述上表面上设置有多个第一连接垫和多个第二连接垫,所述多个第一连接垫连接到所述多个第一垫中的第二组,所述中介层具有与所述上表面相对并面向所述半导体芯片的所述第二表面的下表面,并且在至少一个方向上具有比所述半导体芯片的宽度大的宽度;

多个连接端子,设置在所述中介层的所述多个第二连接垫中的一组上;以及

模制材料,设置在所述基底的所述上表面上,所述模制材料至少覆盖所述中介层的所述上表面,并且具有暴露所述多个连接端子中的两个或更多个相邻的连接端子的至少一个沟槽部分。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述模制材料的最上表面与所述沟槽部分的下表面形成台阶。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,在侧剖视图中,所述沟槽部分的下表面位于第一水平处,所述第一水平在高度上比所述多个连接端子与所述多个第二连接垫之间的接触界面的第二水平高。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个连接端子中的每个连接端子为焊球,

其中,所述沟槽部分暴露所述多个连接端子的上部区域和所述多个连接端子的下部区域的至少一部分,并且

其中,所述多个连接端子的所述上部区域和所述多个连接端子的所述下部区域基于连接所述多个连接端子的相应最大宽度的水平线彼此划定。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,将所述模制材料的最上表面连接到所述沟槽部分的下表面的所述沟槽部分的壁与所述多个连接端子中的相邻设置的连接端子间隔开。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中,所述沟槽部分的所述壁是渐缩的,以与在所述模制材料的所述最上表面处相比,朝向所述沟槽部分的所述下表面更靠近所述相邻设置的连接端子。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个连接端子布置为多行,并且

所述至少一个沟槽部分包括多个沟槽,所述多个沟槽分别布置为所述多行并暴露设置在所述多行中的所述多个连接端子。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个连接端子沿所述中介层的边缘以至少一个或更多个网格的形式布置,并且

所述至少一个沟槽部分包括多个沟槽,所述多个沟槽以网格的形式布置并暴露设置在所述中介层的所述边缘处的所述多个连接端子。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个第一连接垫设置为与所述中介层的平面的边缘相邻,并且所述多个第二连接垫在所述中介层的平面上设置在由所述多个第一连接垫围绕的第一区域中。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,所述多个第一连接垫通过引线键合连接到所述多个第一垫中的所述第二组。

11.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,在侧剖视图中,所述多个第一连接垫在所述中介层上设置在与所述半导体芯片竖直叠置的第二区域之外。

12.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个连接端子中的彼此相邻设置的一对连接端子之间的距离等于或小于0.2mm。

13.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个第一垫中的每个垫的宽度比所述多个第二垫中的每个垫的宽度小。

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