[发明专利]一种压接型IGBT热阻检测方法及装置在审

专利信息
申请号: 202010643033.3 申请日: 2020-07-06
公开(公告)号: CN111751697A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 陈中圆;李金元;李尧圣;杨晓亮;陈艳芳;金锐 申请(专利权)人: 全球能源互联网研究院有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 胡晓静
地址: 102209 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 压接型 igbt 检测 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种压接型IGBT热阻检测方法,所述压接型IGBT包括发射极散热器和集电极散热器,其特征在于,所述压接型IGBT热阻检测方法包括:

获取所述发射极散热器的进水口温度和出水口温度、所述集电极散热器的进水口温度和出水口温度、发射极壳温和集电极壳温、所述IGBT发射极与集电极之间的压降、所述IGBT的电流及所述IGBT的结温;

根据所述发射极散热器的进水口温度和出水口温度,以及所述集电极散热器的进水口温度和出水口温度,计算所述IGBT的发射极与集电极的散热比例;

根据所述IGBT的电流和所述IGBT发射极与集电极之间的压降,确定所述IGBT的发热功率;

根据所述IGBT的发射极与集电极的散热比例、所述IGBT的发热功率、发射极壳温及所述结温,确定所述IGBT的发射极侧热阻;根据所述IGBT的发射极与集电极的散热比例、所述IGBT的发热功率、集电极壳温及所述结温,确定所述IGBT的集电极侧热阻。

2.根据权利要求1所述的压接型IGBT热阻检测方法,其特征在于,所述获取所述IGBT的结温包括:

根据所述压降,以及预设的电压-温度系数曲线,确定所述IGBT的结温。

3.根据权利要求1所述的压接型IGBT热阻检测方法,其特征在于,所述获取所述IGBT发射极与集电极之间的压降,包括:

基于预设规格的供电电源对所述IGBT进行加热处理,并获取所述IGBT发射极与集电极之间的瞬时压降;

根据预设时间段内的所述瞬时压降的波动值与预设的压降波动阈值的大小关系,判断所述IGBT是否处于热平衡状态;

当确定所述IGBT处于热平衡状态时,将所述瞬时压降作为所述IGBT发射极与集电极之间的压降。

4.根据权利要求3所述的压接型IGBT热阻检测方法,其特征在于,还包括:

当确定所述IGBT未处于热平衡状态时,返回所述基于预设规格的供电电源对所述IGBT进行加热处理,并获取所述IGBT发射极与集电极之间的瞬时压降的步骤。

5.一种压接型IGBT热阻检测装置,所述压接型IGBT包括发射极散热器和集电极散热器,其特征在于,包括:获取模块、第一计算模块、第二计算模块和检测模块;

所述获取模块,用于获取所述发射极散热器的进水口温度和出水口温度、所述集电极散热器的进水口温度和出水口温度、发射极壳温和集电极壳温、所述IGBT发射极与集电极之间的压降、所述IGBT的电流及所述IGBT的结温;

所述第一计算模块,用于根据所述发射极散热器的进水口温度和出水口温度,以及所述集电极散热器的进水口温度和出水口温度,计算所述IGBT的发射极与集电极的散热比例;

所述第二计算模块,用于根据所述IGBT的电流和所述IGBT发射极与集电极之间的压降,确定所述IGBT的发热功率;

所述检测模块,用于根据所述IGBT的发射极与集电极的散热比例、所述IGBT的发热功率、发射极壳温及所述结温,确定所述IGBT的发射极侧热阻;根据所述IGBT的发射极与集电极的散热比例、所述IGBT的发热功率、集电极壳温及所述结温,确定所述IGBT的集电极侧热阻。

6.根据权利要求5所述的压接型IGBT热阻检测装置,其特征在于,所述获取模块,还用于:

根据所述压降,以及预设的电压-温度系数曲线,确定所述IGBT的结温。

7.根据权利要求5所述的压接型IGBT热阻检测装置,其特征在于,所述获取模块,具体用于:

基于预设规格的供电电源对所述IGBT进行加热处理,并获取所述IGBT发射极与集电极之间的瞬时压降;

根据预设时间段内的所述瞬时压降的波动值与预设的压降波动阈值的大小关系,判断所述IGBT是否处于热平衡状态;

当确定所述IGBT处于热平衡状态时,将所述瞬时压降作为所述IGBT发射极与集电极之间的压降。

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