[发明专利]一种压接型IGBT热阻检测方法及装置

说明书

本申请提供的一种压接型IGBT热阻检测方法及装置，该方法包括：根据发射极散热器的进水口温度和出水口温度，以及集电极散热器的进水口温度和出水口温度，计算IGBT的发射极与集电极的散热比例；根据IGBT的电流和IGBT发射极与集电极之间的压降，确定IGBT的发热功率；根据IGBT的发射极与集电极的散热比例、IGBT的发热功率、发射极壳温及结温，确定IGBT的发射极侧热阻；根据IGBT的发射极与集电极的散热比例、IGBT的发热功率、集电极壳温及结温，确定IGBT的集电极侧热阻。无需对芯片进行直接接触，解决了无法对压接型IGBT进行热阻检测的技术问题，为判断压接型IGBT器件的可靠性奠定了基础。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种压接型IGBT热阻检测方法及装置。

背景技术

目前，绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称：IGBT)已在电力系统中得到了广泛的应用。其中，对于半导体器件，热阻是影响半导体器件散热能力的重要参数。

在现有技术中，通常是利用热阻测试仪对器件的单面热阻进行检测。

但是，前述的方式一般是基于传统的焊接型IGBT器件，随着技术的进步，压接型IGBT器件已逐步走入市场。其中，压接型IGBT器件采用多层结构封装，并且在正常工作时需要一定的压力，导致芯片无法直接接触。因此，急需为压接性IGBT提供一种有效的热阻检测方法，对判断压接型IGBT器件的可靠性具有重要意义。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服在现有技术中无法为压接型IGBT提供有效的热阻检测方法的缺陷，从而提供一种压接型IGBT热阻检测方法及装置。

本申请第一个方面提供一种压接型IGBT热阻检测方法，所述压接型IGBT包括发射极散热器和集电极散热器，该方法包括：

获取所述发射极散热器的进水口温度和出水口温度、所述集电极散热器的进水口温度和出水口温度、发射极壳温和集电极壳温、所述IGBT发射极与集电极之间的压降、所述IGBT的电流及所述IGBT的结温；

根据所述发射极散热器的进水口温度和出水口温度，以及所述集电极散热器的进水口温度和出水口温度，计算所述IGBT的发射极与集电极的散热比例；

根据所述IGBT的电流和所述IGBT发射极与集电极之间的压降，确定所述IGBT的发热功率；

根据所述IGBT的发射极与集电极的散热比例、所述IGBT的发热功率、发射极壳温及所述结温，确定所述IGBT的发射极侧热阻；根据所述IGBT的发射极与集电极的散热比例、所述IGBT的发热功率、集电极壳温及所述结温，确定所述IGBT的集电极侧热阻。

可选的，所述获取所述压接型IGBT的结温包括：

根据所述压降，以及预设的电压-温度系数曲线，确定所述IGBT的结温。

可选的，所述获取所述IGBT发射极与集电极之间的压降，包括：

基于预设规格的供电电源对所述IGBT进行加热处理，并获取所述IGBT发射极与集电极之间的瞬时压降；

根据预设时间段内的所述瞬时压降的波动值与预设的压降波动阈值的大小关系，判断所述IGBT是否处于热平衡状态；

当确定所述IGBT处于热平衡状态时，将所述瞬时压降作为所述IGBT发射极与集电极之间的压降。

可选的，还包括：

当确定所述IGBT未处于热平衡状态时，返回所述基于预设规格的供电电源对所述IGBT进行加热处理，并获取所述IGBT发射极与集电极之间的瞬时压降的步骤。