[发明专利]一种全包围栅极突触晶体管、制备方法及电路连接方法

权利要求书

1.一种全包围栅极突触晶体管，其特征在于，所述全包围栅极突触晶体管包括有源层、绝缘层、栅电极、源电极和漏电极；所述有源层为圆柱体，所述有源层外侧依次包裹所述绝缘层和所述栅电极，所述有源层的一端设置源电极，另一端设置漏电极，所述源电极和所述漏电极均为圆柱体，所述源电极和所述漏电极的底面直径均比所述有源层的底面直径小，所述有源层、所述源电极和所述漏电极同轴设置。

2.根据权利要求1所述的全包围栅极突触晶体管，其特征在于，所述绝缘层材料包括聚环氧乙烷、聚丙烯腈、聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚环氧丙烷、聚偏氯乙烯、钙钛矿型、NASICON型、LISICON型和石榴石型中的一种或者任意多种。

3.根据权利要求1所述的全包围栅极突触晶体管，其特征在于，所述有源层的高度为10～100nm。

4.根据权利要求1所述的全包围栅极突触晶体管，其特征在于，所述栅电极高度为30～500nm，厚度为5～50nm。

5.根据权利要求1所述的全包围栅极突触晶体管，其特征在于，所述源电极和所述漏电极的高度均为10～50nm。

6.一种全包围栅极突触晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上淀积源电极，所述源电极为圆柱体；

在所述源电极上淀积第一金属间绝缘体层，所述第一金属间绝缘体层的高度大于或等于所述源电极的高度；

在所述第一金属间绝缘体层上设置圆筒状的栅电极，所述栅电极与所述源电极同轴设置；

在圆筒状的所述栅电极内侧设置绝缘层，所述绝缘层为圆筒状；

将有源层材料填充绝缘层内部形成有源层，所述有源层为圆柱体；

在所述有源层上设置漏电极，所述漏电极为圆柱体，所述源电极和所述漏电极的底面直径比所述有源层的底面直径小，所述漏电极与所述栅电极同轴设置。

7.根据权利要求6所述的全包围栅极突触晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述第一金属间绝缘体层上设置圆筒状的栅电极，具体包括：将栅电极材料在所述第一金属间绝缘体层上淀积成圆柱体，将所述圆柱体刻蚀为圆筒状的栅电极。

8.根据权利要求6所述的全包围栅极突触晶体管的制备方法，其特征在于，所述在圆筒状的所述栅电极内侧设置绝缘层，具体包括：采用静电纺丝工艺在所述栅电极内侧设置绝缘层。

9.根据权利要求6所述的全包围栅极突触晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一金属间绝缘体层包括硼磷硅玻璃、二氧化硅和氮化硅中的任意一种。

10.一种用于全包围栅极突触晶体管的电路连接方法，其特征在于，依赖于如权利要求6～9中任意一项所述的全包围栅极突触晶体管的制备方法，所述方法包括：

在基板上按照预设的图案化的源电极和所述源电极的连接线淀积所述源电极和所述源电极的连接线；所述源电极的数目大于1；

在所述源电极和所述源电极的连接线上淀积第一金属间绝缘体层；所述第一金属间绝缘体层的高度大于所述源电极的连接线的高度；

在所述第一金属间绝缘体层上设置圆筒状的栅电极；

按照预设的图案化的栅电极连接线在所述第一金属间绝缘体层上淀积所述栅电极的连接线；

在所述第一金属间绝缘体层上淀积第二金属间绝缘体层，所述第二金属间绝缘体层的高度与所述栅电极的高度相等；

在圆筒状的所述栅电极内侧依次设置绝缘层和有源层；

在所述有源层上设置漏电极；

在所述第二金属间绝缘体层上淀积第三金属间绝缘体层，所述第三金属间绝缘体层的高度小于所述漏电极的高度；

按照预设的图案化的漏电极连接线在所述第三金属间绝缘体层上淀积所述漏电极的连接线。