[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

外围电路区域，位于第一基底上并且包括电路器件；

存储器单元区域，位于覆盖在所述第一基底上的第二基底上，其中，所述存储器单元区域包括在与所述第二基底的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开的栅电极，其中，所述存储器单元区域包括穿透所述栅电极且竖直地延伸到所述第二基底的沟道结构，其中，所述沟道结构包括沟道层；以及

贯通布线区域，使所述存储器单元区域和所述外围电路区域电连接，

其中，所述贯通布线区域包括：

贯通接触插塞，在所述第一方向上延伸以穿透所述存储器单元区域，其中，所述贯通接触插塞使所述存储器单元区域和所述电路器件电连接；

绝缘区域，围绕所述贯通接触插塞，其中，所述绝缘区域包括与所述第二基底平行的第一绝缘层，其中，所述绝缘区域包括交替地堆叠在所述第一绝缘层上的第二绝缘层和第三绝缘层；以及

虚设沟道结构，穿透所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，其中，所述虚设沟道结构包括所述沟道层，其中，所述虚设沟道结构按行和列布置，使得至少一个虚设沟道结构定位在彼此相邻的贯通接触插塞之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述贯通布线区域中，所述贯通接触插塞的数量等于所述虚设沟道结构的数量。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述虚设沟道结构中的至少一个包括与所述沟道结构的结构对应的结构。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述沟道结构和所述虚设沟道结构中的每个包括与所述栅电极接触的栅极介电层、位于所述栅极介电层上的沟道层以及位于所述沟道层上的沟道绝缘层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述虚设沟道结构中的每个具有在70nm至130nm之间的最大直径，其中，所述贯通接触插塞中的每个具有在250nm至350nm之间的最大直径。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道结构中的每个包括在所述第一方向上堆叠的第一沟道结构和第二沟道结构，并且

其中，所述虚设沟道结构中的每个包括在所述第一方向上堆叠的第一虚设沟道结构和第二虚设沟道结构。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一虚设沟道结构的至少一部分和所述第二虚设沟道结构的至少一部分在所述第一方向上彼此间隔开并且彼此断开。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一虚设沟道结构的至少一部分和所述第二虚设沟道结构的至少一部分在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此偏移。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一虚设沟道结构中的至少一个包括与所述第一沟道结构的结构不同的结构。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述存储器单元区域还包括穿透所述栅电极并且在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的分离区域，其中，所述分离区域与所述贯通布线区域间隔开。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述贯通布线区域在两个相邻的分离区域之间居中。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述存储器单元区域还包括与所述栅电极交替地布置的层间绝缘层，并且

其中，所述第二绝缘层与所述层间绝缘层处于同一高度水平，所述第三绝缘层与所述栅电极处于同一高度水平。