[发明专利]集成电路、集成器件及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

半导体衬底；

介电材料的一个或多个介电结构，从所述半导体衬底的表面突出；和

光敏材料，位于所述半导体衬底上并且覆盖所述一个或多个介电结构，其中，所述光敏材料的折射率高于所述一个或多个介电结构的介电材料的折射率；以及

介电材料层，覆盖所述光敏材料，所述介电材料层的介电材料的折射率小于所述光敏材料的折射率，

其中，所述光敏材料位于形成在所述半导体衬底中的沟槽中，并且所述一个或多个介电结构从所述沟槽的底部突出。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述一个或多个介电结构包括氧化硅或氮化硅。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述介电材料层包括氧化硅或氮化硅。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述一个或多个介电结构对应于同一透镜。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述光敏材料的顶面是弯曲的。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述一个或多个介电结构包括从所述沟槽的所述底部延伸的一个或多个柱形物。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中，所述柱形物终止于所述沟槽的顶部或位于所述沟槽的顶部下方。

8.根据权利要求6所述的集成电路，其中，所述集成电路还包括位于所述沟槽的侧壁上并且与所述光敏材料接触的介电材料的介电侧壁涂层，所述介电侧壁涂层的介电材料的折射率小于所述光敏材料的折射率。

9.根据权利要求1所述的集成电路，还包括配置为将光聚焦在所述光敏材料上的透镜。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述光敏材料和所述半导体衬底用作光电探测器，所述光电探测器通过吸收所述光敏材料中的光子并且生成指示由所述光敏材料吸收的光子的电信号来检测光。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中，所述光电探测器是光电二极管。

12.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述光敏材料包括锗。

13.一种形成集成器件的方法，包括：

在半导体衬底中形成沟槽；

形成从所述沟槽的底面突出的介电材料的一个或多个介电结构；

在所述沟槽中沉积覆盖所述一个或多个介电结构的光敏材料，其中，所述光敏材料的折射率高于所述一个或多个介电结构的介电材料的折射率；以及

在所述光敏材料上沉积介电材料层，其中，所述介电材料层的介电材料的折射率小于所述光敏材料的折射率。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述半导体衬底和所述光敏材料共同形成光电二极管。

15.根据权利要求13所述的方法，还包括在所述沟槽的侧壁上沉积介电材料的介电侧壁涂层，其中，沉积所述光敏材料包括用所述光敏材料覆盖所述沟槽的侧壁上的所述介电侧壁涂层。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括形成透镜，所述透镜配置为将光聚焦到所述光敏材料上。