[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

包括芯片焊盘的半导体芯片；

在所述半导体芯片上的下再分布结构，所述下再分布结构包括下再分布绝缘层和电连接到所述半导体芯片的所述芯片焊盘的下再分布图案；

在所述半导体芯片的至少一部分上的模制层；以及

在所述模制层中的导电柱，所述导电柱具有底表面和顶表面，所述导电柱的所述底表面与所述下再分布结构的所述下再分布图案接触，并且所述导电柱的所述顶表面具有凹入的形状。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述导电柱的所述顶表面处于比所述模制层的顶表面低的水平。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，

其中所述导电柱在所述模制层的内壁上，以及

其中所述模制层的拐角部分在所述模制层的所述顶表面与所述模制层的所述内壁之间并被切角或圆化。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：

上再分布绝缘层，包括依次堆叠在所述模制层和所述半导体芯片上的第一上绝缘层和第二上绝缘层；以及

上再分布图案，包括上导电线图案和第一上导电通路图案，所述上导电线图案在所述第一上绝缘层的顶表面上，并且所述第一上导电通路图案电连接到所述上导电线图案。

5.根据权利要求4所述的半导体封装，

其中所述上再分布图案还包括连接到所述上导电线图案的多个第二上导电通路图案，以及

其中所述多个第二上导电通路图案中的每个与所述导电柱的所述顶表面接触。

6.根据权利要求4所述的半导体封装，

其中所述导电柱在所述模制层的内壁上，

其中所述模制层的拐角部分在所述模制层的所述顶表面和所述模制层的所述内壁之间并被切角或圆化，以及

其中所述第一上绝缘层在所述模制层的所述内壁和所述模制层的所述拐角部分上。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：

在所述导电柱的所述顶表面上和在所述模制层的内壁的第一部分上的连接器，所述第一部分在所述模制层的顶表面和所述导电柱的所述顶表面之间。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，

其中所述导电柱在所述模制层的所述内壁的第二部分上，

其中所述模制层的拐角部分在所述模制层的所述顶表面和所述模制层的所述内壁的所述第一部分之间并被切角或圆化，以及

其中所述连接器在所述模制层的所述拐角部分上。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述模制层在所述半导体芯片的顶表面上。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述模制层的顶表面与所述半导体芯片的顶表面共面。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述模制层包括环氧模塑料，所述导电柱包括铜。

12.一种半导体封装，包括：

下再分布结构，所述下再分布结构包括下再分布绝缘层和下再分布图案；

在所述下再分布绝缘层的第一表面上的半导体芯片，所述半导体芯片电连接到所述下再分布图案；

在所述半导体芯片的侧表面上的模制层；以及

在所述模制层中的导电柱，所述导电柱具有底表面和顶表面，所述导电柱的所述底表面与所述下再分布结构的所述下再分布图案接触，并且所述导电柱的所述顶表面处于比所述模制层的顶表面低的水平，

其中所述导电柱在所述模制层的内壁上，以及

其中所述模制层的拐角部分在所述模制层的所述顶表面与所述模制层的所述内壁之间并被切角或圆化。