[发明专利]显示装置及制造该显示装置的方法

权利要求书

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基体基底，具有显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域，所述显示区域包括第一区域和第二区域；

第一半导体层，在所述基体基底的所述第二区域处，所述第一半导体层包括多晶硅；

第一绝缘层，位于所述第一半导体层上；

第一导电层，位于所述第一绝缘层上，所述第一导电层包括在所述第一区域处的底栅电极和在所述第二区域处的第二-第一栅电极；

第二绝缘层，位于所述第一导电层上；

第二半导体层，在所述第一区域处位于所述第二绝缘层上，所述第二半导体层包括氧化物；

第三绝缘层，位于所述第二半导体层上；

第二导电层，位于所述第三绝缘层上，所述第二导电层包括在所述第一区域处的顶栅电极和在所述第二区域处的第二-第二栅电极；

第四绝缘层，位于所述第二导电层上；以及

第三导电层，位于所述第四绝缘层上，所述第三导电层包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极，所述第一源电极和所述第一漏电极中的每个连接到所述第二半导体层，并且所述第二源电极和所述第二漏电极中的每个连接到所述第一半导体层。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述底栅电极和所述顶栅电极彼此电连接。

3.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第一过孔层，位于所述第三导电层上；以及

像素电极，位于所述第一过孔层上，

其中，所述像素电极直接连接到所述第二源电极或所述第二漏电极。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述非显示区域包括在所述显示区域的一侧处的弯曲区域；

所述第一绝缘层至所述第四绝缘层被构造为在所述弯曲区域处暴露所述基体基底的上表面；

所述弯曲区域包括位于所述基体基底上的弯曲过孔层和位于所述弯曲过孔层上的连接电极；并且

所述第三导电层还包括所述连接电极。

5.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：盖导电图案，在所述第二区域处在所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间，

其中，所述盖导电图案、所述第二-第一栅电极和在所述盖导电图案与所述第二-第一栅电极之间的所述第二绝缘层限定电容器。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述盖导电图案包括与所述第二半导体层的材料相同的材料。

7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：盖导电图案，在所述第二区域处在所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间，

其中，所述第二-第二栅电极和所述盖导电图案限定电容器。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述底栅电极和所述第二-第一栅电极包括相同的材料。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述顶栅电极和所述第二-第二栅电极包括相同的材料。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二半导体层的所述氧化物包括选自锌、铟、镓、锡、镉、锗、铪及其组合之中的至少一种的氧化物。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层、所述第二-第一栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极限定驱动晶体管，并且

其中，所述第二半导体层、所述底栅电极、所述顶栅电极、所述第一源电极和所述第一漏电极限定补偿晶体管。