[发明专利]具有天线和EMI隔离屏蔽件的半导体封装和相关联方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

封装衬底，其具有接地平面；

半导体裸片，其耦合到所述封装衬底的第一表面；

天线结构，其被配置成用于无线通信；和

电磁干扰EMI屏蔽件，其环绕所述半导体裸片的至少一部分并且处于所述半导体裸片和所述天线结构之间，其中所述EMI屏蔽件电耦合到所述接地平面，且其中所述EMI屏蔽件被配置成至少屏蔽所述半导体裸片免受电磁干扰。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其另外包括处于所述半导体裸片和所述EMI屏蔽件之间的第一介电材料，其中所述第一介电材料被配置成将所述EMI屏蔽件与所述半导体裸片分开并且电隔离。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述EMI屏蔽件具有介于1μm和30μm之间的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其另外包括处于所述封装衬底和所述半导体裸片之间的第一底部填充材料，其中所述第一底部填充材料被配置成电隔离所述半导体裸片与经由所述封装衬底的所述第一表面形成的所述封装衬底的触头之间的电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其另外包括处于所述半导体裸片和所述EMI屏蔽件之间的热界面材料TIM，其中所述TIM被配置成将热量从所述半导体裸片中耗散开。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述EMI屏蔽件具有介于30μm和2mm之间的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其另外包括介于所述EMI屏蔽件和所述天线结构之间的第二介电材料，其中第二介电材料被配置成将所述EMI屏蔽件与所述天线结构分开并且电隔离。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述EMI屏蔽件包含铁、镍-铁、钴-铁、不锈钢和/或铜。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述EMI屏蔽件经由所述封装衬底的所述第一表面电耦合到所述接地平面。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述EMI屏蔽件粘片到所述封装衬底的所述第一表面。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其另外包括形成于所述封装衬底的与所述第一表面相对的第二表面上的电连接器，其中所述天线结构经由所述封装衬底电耦合到所述电连接器。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体裸片是存储器裸片。

13.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

形成封装衬底，所述封装衬底包含接地平面；

将半导体裸片安置于所述封装衬底的第一表面上方；

将电磁干扰EMI屏蔽件安置于所述半导体裸片上方和/或相邻处，其中安置所述EMI屏蔽件包含形成所述EMI屏蔽件和所述接地平面之间的电连接；和

将天线结构安置于所述半导体裸片上方和/或相邻处。

14.根据权利要求13所述的方法，其另外包括：

在所述半导体裸片上方形成第一介电材料，其中所述第一介电材料定位于所述半导体裸片与所述EMI屏蔽件之间；和/或

在所述半导体裸片下方形成第一底部填充材料，其中所述第一底部填充材料定位于所述半导体裸片与所述封装衬底之间。

15.根据权利要求13所述的方法，其中：

形成所述封装衬底包含穿过所述封装衬底的所述第一表面暴露所述接地平面；

在安置所述EMI屏蔽件之前形成所述EMI屏蔽件；且

安置所述EMI屏蔽件包含将所述EMI屏蔽件附接到所述封装衬底的所述第一表面以使得所述EMI屏蔽件经由所述封装衬底的所述第一表面电连接到所述接地平面。