[发明专利]一种应用于超低静态电流LDO的输出级泄放电路在审
| 申请号： | 202010645487.4 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN111930167A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 项骏;冯光涛 | 申请（专利权）人： | 芯创智（北京）微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;高凯 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 静态 电流 ldo 输出 级泄放 电路 | ||
1.一种应用于超低静态电流LDO的输出级泄放电路，其特征在于，所述输出级泄放电路包括运算放大器AMP、PMOS功率管MP、一对PMOS管MP1、NMOS管MN1和MN2，所述运算放大器AMP的反相输入端与基准电压Vref相连，所述运算放大器AMP的同相输入端与电压反馈Vfb相连，所述功率管MP的栅极与所述运算放大器AMP的输出端相连，所述功率管MP的漏极与工作电压Vdd相连，每一所述PMOS管MP1与功率管MP的宽长比为成比例设置的。
2.根据权利要求1所述的一种应用于超低静态电流LDO的输出级泄放电路，其特征在于，一对所述PMOS管MP1之间的漏极和栅极分别对应相连，一所述PMOS管的源极分别与NMOS管MN2的源极和栅极相连，NMOS管MN2的漏极和另一PMOS管的源极通过设置有的偏置电流Ib相连，NMOS管MN2的漏极与NMOS管MN1的漏极相连，NMOS管MN1的漏极接地，NMOS管的MN1和MN2的栅极相连，NMOS管MN1的源极与PMOS管MP的源极相连。
3.根据权利要求2所述的一种应用于超低静态电流LDO的输出级泄放电路，其特征在于，所述NMOS管MN1和NM2之间的宽长比为成比例设置的。
4.根据权利要求1所述的一种应用于超低静态电流LDO的输出级泄放电路，其特征在于，所述功率管MP的源极通过电阻Rf1与运算放大器AMP的同相输入端相连，所述功率管MP的源极与外部负载Vout相连。
5.根据权利要求2所述的一种应用于超低静态电流LDO的输出级泄放电路，其特征在于，所述MOS管MP的源极通过电阻Rf1和Rf2接地，其中运算放大器AMP的同相输入端连接在所述电阻Rf1和Rf2之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯创智（北京）微电子有限公司，未经芯创智（北京）微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010645487.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
