[发明专利]埋入式电路板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010645933.1 申请日: 2020-07-07
公开(公告)号: CN112203415B 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 黄立湘;王泽东;缪桦 申请(专利权)人: 深南电路股份有限公司
主分类号: H05K1/18 分类号: H05K1/18;H05K3/46;H05K1/02;H05K1/03
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 钟子敏
地址: 518117 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 埋入 电路板 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种埋入式电路板,其特征在于,包括:

交替层叠设置的若干层子体和若干介质层,其中至少一层所述子体开设有槽体;

电子器件,嵌设在所述槽体内;

其中,邻近所述电子器件的所述介质层的热膨胀系数小于远离所述电子器件的所述介质层的热膨胀系数;

封装体,包覆在所述电子器件外周,以使所述电子器件与所述槽体的侧壁间隔设置,所述封装体的热膨胀系数小于或等于相邻所述介质层的热膨胀系数;其中,所述封装体内设置有导电结构,且所述导电结构用于电连接所述电子器件;

其中,所述封装体的热膨胀系数范围为3-12,所述封装体的热膨胀系数等于嵌设有所述电子器件的所述子体的热膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的埋入式电路板,其特征在于,

所述封装体与相邻所述介质层的热膨胀系数之间的差值为0-5。

3.根据权利要求1所述的埋入式电路板,其特征在于,

若干层所述介质层的热膨胀系数沿远离所述电子器件的方向逐渐增加,且沿远离所述电子器件的方向的相邻两层所述介质层的热膨胀系数之间的差值为2-5。

4.根据权利要求1所述的埋入式电路板,所述介质层的热膨胀系数范围为1-27。

5.根据权利要求1所述的埋入式电路板,其特征在于,

所述介质层和所述封装体的材料为树脂、molding硅胶中的一种绝缘材料或任意组合。

6.根据权利要求1所述的埋入式电路板,其特征在于,所述埋入式电路板还包括:

第一线路层和第二线路层,且所述第一线路层、所述第二线路层分别位于电路板的相背两外侧;

其中,所述电子器件具有连接端子,所述电子器件的连接端子与所述第一线路层和/或所述第二线路层电连接。

7.一种埋入式电路板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

提供若干层子体,其中至少一层所述子体开设有槽体;

将电子器件嵌设到所述槽体内;

利用封装体包覆在所述电子器件外周,以使所述电子器件与所述槽体的侧壁间隔设置;其中,所述封装体内设置有导电结构,且所述导电结构用于电连接所述电子器件;

将若干层所述子体与若干介质层交替层叠设置,其中,邻近所述电子器件的所述介质层的热膨胀系数小于远离所述电子器件的所述介质层的热膨胀系数;

压合各层所述子体与所述介质层以固定所述子体和所述电子器件;

其中,所述封装体的热膨胀系数小于或等于相邻所述介质层的热膨胀系数;所述封装体的热膨胀系数范围为3-12,所述封装体的热膨胀系数等于嵌设有所述电子器件的所述子体的热膨胀系数。

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