[发明专利]半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

接触图案，该接触图案包括垂直接触部以及在与所述垂直接触部交叉的方向上从所述垂直接触部延伸的侧壁接触部；

下导电图案，该下导电图案具有孔，所述垂直接触部被插入到该孔中；以及

上导电图案，该上导电图案与所述下导电图案的一部分交叠，

其中，所述上导电图案包括与所述侧壁接触部接触的第一侧部以及面向所述垂直接触部并与所述垂直接触部间隔开的第二侧部。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第二侧部是弯曲的，并且

其中，所述第一侧部是平坦的。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述孔的边缘与所述垂直接触部间隔开。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述下导电图案包括：

第一交叠区域，该第一交叠区域与所述上导电图案交叠；

第二交叠区域，该第二交叠区域从所述第一交叠区域延伸以与所述侧壁接触部交叠；以及

延伸区域，该延伸区域从所述第二交叠区域延伸，并且

其中，所述第二交叠区域设置在所述第一交叠区域和所述延伸区域之间。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述孔穿过所述第二交叠区域，并且延伸到所述第一交叠区域和所述延伸区域中。

6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述垂直接触部包括朝着所述上导电图案的所述第二侧部突出的第一突起以及朝着所述下导电图案的所述延伸区域突出的第二突起。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述侧壁接触部包括比所述上导电图案向上突出更远的突起。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述接触图案电联接到所述上导电图案并且由于位于所述下导电图案和所述垂直接触部之间的间隙而与所述下导电图案电隔离。

9.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

栅极层叠物，该栅极层叠物具有在沿层叠方向彼此间隔开的同时层叠的多个导电图案，并且多个所述导电图案形成阶梯结构；

多个侧壁接触部，多个所述侧壁接触部分别形成在所述导电图案的侧壁上；

多个垂直接触部，多个所述垂直接触部分别在所述层叠方向上从所述侧壁接触部延伸；以及

多个间隔物绝缘层，多个所述间隔物绝缘层设置在所述垂直接触部和所述导电图案之间。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，多个所述垂直接触部彼此平行延伸。

11.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

基板，该基板设置在所述栅极层叠物下方并包括外围电路；

互连结构，所述互连结构在所述基板和所述栅极层叠物之间联接到所述外围电路；

掺杂半导体层，该掺杂半导体层设置在所述互连结构和所述栅极层叠物之间；以及

绝缘层，所述绝缘层穿过所述掺杂半导体层，

其中，多个所述垂直接触部分别穿过所述绝缘层，并且分别延伸以与所述互连结构接触。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

虚设阶梯结构，该虚设阶梯结构包括交替地层叠在所述掺杂半导体层上的多个虚设层间绝缘层和多个虚设导电图案；

支撑柱，该支撑柱穿过所述虚设阶梯结构；以及

虚设间隔物绝缘层，该虚设间隔物绝缘层形成在所述支撑柱的表面上。