[发明专利]芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜在审
| 申请号： | 202010647825.8 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN112210305A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 大西谦司;宍户雄一郎;畠山义治;吉田直子;木村雄大 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/24 | 分类号： | C09J7/24;C09J7/30;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 接合 薄膜 切割 | ||
1.一种芯片接合薄膜，其120℃下的剪切损耗模量为0.03MPa以上且0.09MPa以下。
2.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其180℃下的剪切损耗模量为0.01MPa以上且0.05MPa以下。
3.根据权利要求2所述的芯片接合薄膜，其中，所述180℃下的剪切损耗模量相对于所述120℃下的剪切损耗模量的比为0.5以上且0.8以下。
4.根据权利要求1或2所述的芯片接合薄膜，其中，对裸晶圆的120℃下的剪切粘接力为0.1MPa以上且0.4MPa以下，
对裸晶圆的180℃下的剪切粘接力为0.05MPa以上且0.3MPa以下。
5.根据权利要求1或2所述的芯片接合薄膜，其中，在室温下在900Hz下的通过动态粘弹性测定得到的弹性模量为1GPa以上且不足3GPa。
6.根据权利要求1或2所述的芯片接合薄膜，其具有热固化性，
其在175℃下固化1小时并在135℃且相对湿度85％RH的环境中暴露100小时后的吸湿率为1质量％以下。
7.根据权利要求1或2所述的芯片接合薄膜，其具有热固化性，
其在175℃下固化1小时后的130℃下的拉伸储能模量为0.2MPa以上且1.0MPa以下。
8.根据权利要求1或2所述的芯片接合薄膜，其具有热固化性，
其在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％RH的环境中暴露100小时后的对裸晶圆的剪切粘接力为15MPa以上，
其在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％RH的环境中暴露100小时后的对裸晶圆的剪切粘接力相对于在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％RH的环境中暴露前的对裸晶圆的剪切粘接力的比为0.6以上。
9.一种切割芯片接合薄膜，其具备：
在基材层上层叠有粘合剂层的切割带；和
层叠于所述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，
所述芯片接合层由权利要求1～8中任一项所述的芯片接合薄膜构成。
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