[发明专利]芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜

说明书

本发明提供芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜，本发明的芯片接合薄膜的120℃下的剪切损耗模量为0.03MPa以上且0.09MPa以下。

关联申请的相互参照

本申请主张日本特愿2019-128946号的优先权，通过引用而被并入本申请说明书的记载。

技术领域

本发明涉及芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜。

背景技术

以往，已知在半导体装置的制造中，为了得到芯片接合用的半导体芯片，使用切割芯片接合薄膜。

前述切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、和以可剥离的方式层叠于该切割带的前述粘合剂层上的芯片接合层(例如，专利文献1)。

作为使用前述切割芯片接合薄膜来得到芯片接合用的半导体芯片(die)的方法，已知采用具有如下工序的方法：半切割工序，为了通过割断处理将半导体晶圆加工为芯片(die)而在半导体晶圆上形成槽，进而对半导体晶圆进行磨削而减薄厚度；背面研磨工序，对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而减薄厚度；安装工序，将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如，与电路面处于相反侧的面)贴附于芯片接合层从而将半导体晶圆固定于切割带；扩展工序，使经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔扩大；切口维持工序，维持半导体芯片彼此的间隔；拾取工序，将芯片接合层与粘合剂层之间剥离，在贴附有芯片接合层的状态下取出半导体芯片；和芯片接合工序，将贴附有芯片接合层的状态的半导体芯片粘接于被粘物(例如安装基板等)。

将如上操作得到的芯片接合用的半导体芯片在加热条件下(例如，120℃)下层叠。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-185591号公报

发明内容

发明要解决的问题

将经割断的芯片接合用的半导体芯片(也称为带芯片接合层的半导体芯片)在加热条件下、例如以沿着同一方向每个错开规定距离而成为阶梯状的方式层叠，但在该层叠时，有时芯片接合层从半导体芯片的表面剥离。

此外，在如上所述的得到芯片接合用的半导体芯片的方法中，由于通常使用截面视时具有比较平坦的表面的半导体晶圆，因此经割断的芯片接合用的半导体芯片在截面视时大多具有比较平坦的表面，但有时得到截面视时具有含有多个曲折部位的表面(例如，截面视时发生起伏那样的表面)的芯片接合用的半导体芯片。

而且，对于上述层叠时芯片接合层自半导体芯片的表面的剥离，在截面视时具有含有多个曲折部位的表面的芯片接合用的半导体芯片中变得更显著。

因此，本发明的课题在于，提供在加热条件下的层叠时比较难以从半导体芯片的表面剥离的芯片接合薄膜、及芯片接合层由前述芯片接合薄膜构成的切割芯片接合薄膜。

用于解决问题的方案

本发明的芯片接合薄膜在120℃下的剪切损耗模量为0.03MPa以上且0.09MPa以下。

对于前述芯片接合薄膜，优选在180℃下的剪切损耗模量为0.01MPa以上且0.05MPa以下。

对于前述芯片接合薄膜，优选180℃下的前述芯片接合薄膜的剪切损耗模量相对于120℃下的前述芯片接合薄膜的剪切损耗模量的比为0.5以上且0.8以下。

对于前述芯片接合薄膜，优选

对裸晶圆的120℃下的剪切粘接力为0.1MPa以上且0.4MPa以下，

对裸晶圆的180℃下的剪切粘接力为0.05MPa以上且0.3MPa以下。