[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于，包括：

一固晶基板，具有相对的一第一表面及一第二表面，该第一表面包含一发光区和一电极区；

一发光半导体结构，设置于该发光区上，该发光半导体结构由下至上依序包含一第一型半导体层、一发光层及一第二型半导体层；

多个导电柱，间隔设置于该发光半导体结构中，各该导电柱贯穿该第一型半导体层及该发光层，但不贯穿该第二型半导体层，其中各该导电柱直接接触该第二型半导体层并电性连接该固晶基板；

一绝缘层，具有一第一部分及一第二部分，该第一部分位于该第一型半导体层与该固晶基板之间，该第二部分将该第一型半导体层和该发光层与所述多个导电柱电性绝缘，其中该第一部分具有一沟槽以及多个开口，该沟槽邻近该发光半导体结构的一边缘且各该开口的一第一宽度小于各该导电柱的一第二宽度；

一第一电极，设置于该电极区并电性连接该第一型半导体层，且该第一电极电性绝缘各该导电柱；以及

一第二电极，位于该第二表面上并电性连接所述多个导电柱。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，其中该沟槽的一总长度大于该发光区的一周长的60％。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，其中该沟槽是连续地环绕该发光区的该边缘。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，其中该发光区的该边缘与最近的该导电柱之间间隔一距离，且该沟槽的一宽度为该距离的10％至30％。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，其中所述多个开口的一第一数量大于所述多个导电柱的一第二数量。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，其中相邻两开口之间的一间距大于该第一宽度的1.5倍。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包含：

一透明导电层，设置于该第一型半导体层与该第一部分之间，其中该透明导电层包含氧化铟锡；以及

一第一电极延伸部，设置于该第一部分与该固晶基板之间，其中该第一电极延伸部通过该沟槽和所述多个开口电性连接该透明导电层。

8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，还包含一金属层位于该第一电极延伸部与该透明导电层之间，且该金属层填满该沟槽和所述多个开口，其中该金属层包含银或铝。

9.一种发光装置，其特征在于，包括：

一生长基板；

一发光半导体结构，设置于该生长基板上，该发光半导体结构由上至下依序包含一第一型半导体层、一发光层及一第二型半导体层；

多个导电柱，间隔设置于该发光半导体结构中，各该导电柱贯穿该第一型半导体层及该发光层，但不贯穿该第二型半导体层，且直接接触该第二型半导体层；

一绝缘层，具有一第一部分及一第二部分，该第一部分位于该第一型半导体层上，该第二部分将该第一型半导体层和该发光层与所述多个导电柱电性绝缘，其中该第一部分具有一沟槽以及多个开口，该沟槽邻近该生长基板的一边缘且各该开口的一第一宽度小于各该导电柱的一第二宽度；以及

一第一电极和一第二电极，设置于该第一型半导体层上方，其中该第一电极电性连接该第一型半导体层并与所述多个导电柱电性绝缘，且该第二电极电性连接所述多个导电柱。

10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，其中该沟槽的一总长度大于该生长基板的一周长的60％。

11.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，其中该沟槽是连续地环绕该生长基板的该边缘。

12.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，其中该生长基板的该边缘与最近的该导电柱之间间隔一距离，且该沟槽的一宽度为该距离的10％至30％。