[发明专利]发光装置

说明书

发光装置包括固晶基板、发光半导体结构、导电柱、绝缘层、第一和第二电极。固晶基板具有相对的第一和第二表面。发光半导体结构由下至上包含第一型半导体层、发光层及第二型半导体层位于第一表面。导电柱位于发光半导体结构中。导电柱贯穿第一型半导体层及发光层，但不贯穿第二型半导体层，其接触第二型半导体层并电性连接固晶基板。绝缘层的第一部分位于第一型半导体层与固晶基板之间，绝缘层的第二部分将第一型半导体层和发光层与导电柱电性绝缘。第一部分具有邻近发光半导体结构边缘的沟槽以及多个开口，开口的宽度小于导电柱的宽度。第一电极位于第一表面，电性连接第一型半导体层且电性绝缘导电柱。第二电极位于第二表面并电性连接导电柱。

技术领域

本发明是有关于一种发光装置，特别是关于一种能够优化电流扩散的发光装置。

背景技术

发光二极管(Light-emitting diode,LED)本质上为一种具有P-N接面(P-Njunction)的二极管，通过元件作用时电子电洞对的结合造成光子的放射。此外，发光二极管具有节能省电、寿命周期长及环保等优点，故为近年来发展蓬勃的产业之一。一般而言，因应光源系统及使用目的的不同发光二极管可具有不同的晶片结构，例如正装LED(FaceUp LED)、垂直式LED(Vertical LED)、及覆晶LED(Flip Chip LED)；或通过出光面大致可分为侧视式LED(Side View LED)及顶视式LED(Top View LED)。

为了提升垂直式LED及覆晶LED的发光装置的发光效率，通常会在半导体迭层与反射层之间增加一层图案化电流阻挡层，但是此图案化电流阻挡层会产生以下缺点：1.由于产生的电流主要会集中在n型导电柱及图案化电流阻挡层的开口区域，因此在高电流密度下会导致上述区域上方的磊晶复合效率变差，进而使发光装置产生亮度不均匀的问题。2.因图案化电流阻挡层的热膨胀系数与其上方的半导体层及下方的反射层差异极大，在制程中容易导致产品良率不佳，且在进行信赖性测试时，进而致使前述膜层之间产生空隙，造成产品的信赖性问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的一目的在于提出一种可解决上述问题的发光装置。

本发明的一态样是提供一种发光装置，其包括固晶基板、发光半导体结构、多个导电柱、绝缘层、第一电极和第二电极。固晶基板具有相对的第一表面及第二表面，第一表面包含发光区和电极区。发光半导体结构设置于发光区上。发光半导体结构由下至上依序包含第一型半导体层、发光层及第二型半导体层。多个导电柱间隔设置于发光半导体结构中。各导电柱贯穿第一型半导体层及发光层，但不贯穿第二型半导体层。各导电柱直接接触第二型半导体层并电性连接固晶基板。绝缘层具有第一部分及第二部分。第一部分位于第一型半导体层与固晶基板之间。第二部分将第一型半导体层和发光层与所述导电柱电性绝缘。第一部分具有一沟槽以及多个开口。沟槽邻近发光半导体结构的边缘且各个开口的宽度小于各个导电柱的宽度。第一电极设置于电极区并电性连接发光半导体结构(120)的第一型半导体层，且第一电极电性绝缘各个导电柱。第二电极位于固晶基板的第二表面上并电性连接所述导电柱。

根据本发明一实施方式，所述沟槽的总长度大于发光区周长的60％。

根据本发明一实施方式，所述沟槽是连续地环绕发光区的边缘。

根据本发明一实施方式，发光区的边缘与最近的导电柱之间间隔一距离，且沟槽的宽度为所述距离的10％至30％。

根据本发明一实施方式，所述开口的数量大于所述导电柱的数量。

根据本发明一实施方式，相邻两开口之间的间距大于第一宽度的1.5倍。

根据本发明一实施方式，此发光装置还包含透明导电层及第一电极延伸部。透明导电层设置于第一型半导体层与第一部分之间。透明导电层包含氧化铟锡。第一电极延伸部设置于第一部分与固晶基板之间。第一电极延伸部通过沟槽和开口电性连接透明导电层。