[发明专利]包括数据存储材料图案的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

第一导电结构，位于衬底上；

第二导电结构，位于所述第一导电结构上；以及

第一存储单元结构，位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间，

其中，所述第一存储单元结构包括：

位于所述第一导电结构上的开关材料图案；

位于所述开关材料图案上的数据存储材料图案；以及

位于所述数据存储材料图案上的上导电图案，

其中，所述数据存储材料图案的下部区域的最大宽度小于所述开关材料图案的最小宽度，并且

其中，所述上导电图案的最大宽度小于所述数据存储材料图案的上部区域的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

下导电图案，位于所述第一导电结构与所述开关材料图案之间；以及

中间导电图案，位于所述开关材料图案与所述数据存储材料图案之间，

其中，所述下导电图案的侧表面、所述开关材料图案的侧表面和所述中间导电图案的侧表面基本上共面。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

下电极图案，位于所述中间导电图案与所述数据存储材料图案之间；以及

上电极图案，位于所述数据存储材料图案与所述上导电图案之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述下电极图案的侧表面和所述开关材料图案的所述侧表面基本上共面。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述上电极图案的最小宽度与所述上导电图案的所述最大宽度基本上相同。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述上电极图案的最大宽度大于所述上导电图案的所述最大宽度，并且所述上电极图案的所述最大宽度与所述数据存储材料图案的所述上部区域的所述宽度基本上相同。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述上导电图案的所述最大宽度小于所述上电极图案的最大宽度，并且所述上电极图案的所述最大宽度小于所述数据存储材料图案的所述上部区域的所述宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

第一间隔物，设置在所述上导电图案的侧表面和所述数据存储材料图案的侧表面上并且覆盖所述数据存储材料图案的上表面的边缘；以及

第二间隔物，位于所述第一间隔物的外侧表面上并且位于所述开关材料图案的侧表面上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

保护间隔物，设置在所述第一间隔物与所述上导电图案之间，

其中，所述数据存储材料图案的所述侧表面与所述第一间隔物直接接触。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

第三导电结构，位于所述第二导电结构上；以及

第二存储单元结构，位于所述第二导电结构与所述第三导电结构之间。