[发明专利]包括数据存储材料图案的半导体器件

说明书

提供了一种包括数据存储材料图案的半导体器件。所述半导体器件包括：位于衬底上的第一导电结构；位于所述第一导电结构上的第二导电结构；以及位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间的第一存储单元结构，其中，所述第一存储单元结构包括：位于所述第一导电结构上的开关材料图案；位于所述开关材料图案上的数据存储材料图案；以及位于所述数据存储材料图案上的上导电图案，其中，所述数据存储材料图案的下部区域的第一宽度小于所述开关材料图案的第一宽度，并且其中，所述上导电图案的第一宽度小于所述数据存储材料图案的上部区域的宽度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年7月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申 请No.10-2019-0088807的优先权，通过引用将上述韩国专利申请的公开 内容全部合并于此。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及一种可以增加集成密度的半导体器 件。

背景技术

诸如相变随机存取存储器(PRAM)等的下一代半导体器件正在努力 开发中，以生产具有高性能和低功耗的诸如存储器件的半导体器件。这样 的半导体器件可以具有根据电流或电压而改变的电阻值，并且可以使用数 据存储材料来制造这样的半导体器件，该数据存储材料可以在停止提供电 流或电压时保持恒定的电阻值。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体器件包括：位于衬底上 的第一导电结构；位于所述第一导电结构上的第二导电结构；以及位于所 述第一导电结构与所述第二导电结构之间的第一存储单元结构，其中，所 述第一存储单元结构包括：位于所述第一导电结构上的开关材料图案；位 于所述开关材料图案上的数据存储材料图案；以及位于所述数据存储材料 图案上的上导电图案，其中，所述数据存储材料图案的下部区域的最大宽度小于所述开关材料图案的最小宽度，并且其中，所述上导电图案的最大 宽度小于所述数据存储材料图案的上部区域的宽度。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体器件包括：在衬底上沿 第一方向延伸的第一导电线；在所述第一导电线上沿基本上垂直于所述第 一方向的第二方向延伸的第二导电线；以及位于所述第一导电线与所述第 二导电线之间的存储单元区域，其中，所述存储单元区域包括第一存储单 元区域和邻近于所述第一存储单元区域的第二存储单元区域，其中，所述 第一存储单元区域包括：第一数据存储材料图案；位于所述第一数据存储材料图案上的第一上电极图案；以及位于所述第一上电极图案上的第一上 导电图案，其中，所述第二存储单元区域包括：第二数据存储材料图案； 位于所述第二数据存储材料图案上的第二上电极图案；以及位于所述第二 上电极图案上的第二上导电图案，并且其中，所述第一数据存储材料图案 的上部区域与所述第二数据存储材料图案的上部区域之间的第一距离小 于所述第一上导电图案与所述第二上导电图案之间的第二距离。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体器件包括：位于半导体 衬底上的第一导电结构；位于所述第一导电结构上的第二导电结构；位于 所述第一导电结构与所述第二导电结构之间的第一存储单元结构；位于所 述第二导电结构上的第三导电结构；以及位于所述第二导电结构与所述第 三导电结构之间的第二存储单元结构，其中，所述第一存储单元结构和所 述第二存储单元结构均包括：开关结构；位于所述开关结构上的数据存储结构；以及位于所述数据存储结构上的上导电图案，其中，所述开关结构 包括：位于所述半导体衬底上的下导电图案；位于所述下导电图案上的开 关材料图案；以及位于所述开关材料图案上的中间导电图案，其中，所述 数据存储结构包括：位于所述中间导电图案上的下电极图案；位于所述下 电极图案上的数据存储材料图案；以及位于所述数据存储材料图案上的上 电极图案，其中，所述数据存储材料图案的下部区域的最大宽度小于所述 开关材料图案的最小宽度，并且其中，所述上电极图案的最大宽度和所述 上导电图案的最大宽度小于所述数据存储材料图案的上部区域的宽度。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上 述以及其他特征将更加明显，其中：