[发明专利]一种低压转高压的电压转换电路及电压转换集成芯片

权利要求书

1.一种低压转高压的电压转换电路，其特征在于，包括电容、第一NMOS管、第二NMOS管，第一PMOS管，第二PMOS管，第三PMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管，第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、驱动电路，其中：

所述第一NMOS管的栅极接第一信号，源极接地，漏极与所述电容的第一端连接；

所述第二NMOS管的栅极接第二信号，源极与所述第一NMOS管的漏极连接，漏极与所述第一PMOS管的漏极连接；

所述第一PMOS管的栅极接所述第二信号，源极与第一电压电源连接；

所述第二PMOS管的源极接所述第一电压电源，漏极与所述电容的第二端连接；

所述第三PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极连接，源极与所述第二PMOS管的栅极连接，漏极与所述电容的第二端连接；

所述第三NMOS管的栅极与所述第三PMOS管的源极连接，源极与所述第一NMOS管的漏极连接，漏极与所述第二NMOS管的漏极连接；

所述第四NMOS管的栅极与漏极分别与所述第三PMOS管的源极连接；

所述第五NMOS管的栅极与所述第一电压电源连接，漏极与所述第四NMOS管的源极连接；

所述第六NMOS管的栅极接所述第一信号，源极接地，漏极与所述第五NMOS管的源极连接；

所述第七NMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极，源极与所述第一电压电源连接，漏极与所述电容的第一端连接；

所述驱动电路的第一电源端接所述第一电压电源，第二电源端接第二电压电源，第一输入端和第二输入端分别接所述电容的第一端和第二端；

所述第一电压电源和所述第二电压电源分别为1.8V和3.3V，所述第一信号与所述第二信号互为反相，当所述第一信号为0V，所述驱动电路输出0V，当所述第一信号为1.8V，所述驱动电路输出3.3V；

所述驱动电路包括第一驱动PMOS管、第二驱动PMOS管、第一驱动NMOS管、第二驱动NMOS管，其中：

所述第一驱动PMOS管的源极作为所述驱动电路的所述第二电源端，栅极作为所述驱动电路的所述第二输入端，漏极与所述第二驱动PMOS管的源极连接；

所述第一驱动NMOS管的源极接地，栅极作为所述驱动电路的所述第一输入端，漏极与所述第二驱动NMOS管的源极连接；

所述第二驱动NMOS管的栅极与所述第二驱动PMOS管的栅极连接并作为所述驱动电路的第一电源端，所述第二驱动NMOS管的漏极与所述第二驱动PMOS管的漏极连接并作为所述驱动电路的输出端。

2.根据权利要求1所述电压转换电路，其特征在于，还包括将所述第一信号转换为所述第二信号的反相器。

3.根据权利要求1所述电压转换电路，其特征在于，还包括：

将初始信号转换为所述第一信号的第一反相器；

将所述第一信号转换为所述第二信号的第二反相器。

4.根据权利要求1-3任一项所述电压转换电路，其特征在于，

所述第一信号和所述第二信号均为高速动态信号。

5.根据权利要求4所述电压转换电路，其特征在于，

所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的衬底均接地。

6.一种低压转高压的电压转换集成芯片，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述低压转高压的电压转换电路。