[发明专利]一种低压转高压的电压转换电路及电压转换集成芯片

说明书

本申请公开了一种低压转高压的电压转换电路及电压转换集成芯片，包括电容、第一NMOS管、第二NMOS管，第一PMOS管，第二PMOS管，第三PMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管，第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、驱动电路。利用电容电压不会突变的特性，以及上述元件的连接关系，本申请能够实现将0‑1.8V的低压转到0‑3.3V的高压的效果。在本申请的电压转换电路中，每个MOS管的电压差均不超过1.8V，将先进工艺中的元件应用在本申请中，也不会出现耐压问题，达到了利用耐压1.8V的MOS管来实现1.8V转3.3V的电压转换效果。

技术领域

本发明涉及电压转换电路设计领域，特别涉及一种低压转高压的电压转换电路及电压转换集成芯片。

背景技术

随着工艺的不断进步，MOS管的电源电压越来越低，在一些先进工艺(如simc14nm)中，I/O器件的电源电压已经降到了1.8V，但是在一些应用中，如USB(Universal SerialBus，通用串行总线)、SDIO(Secure Digital Input and Output，安全数字输入输出卡)、EMMC((Embedded Multi Media Card，嵌入式多媒体控制器)等，协议仍需要用到3.3V电源电压。然而，先进工艺中没有耐3.3V的器件，因此很难将先进工艺应用在这些协议的电路设计中。尤其是在高速应用中，暂时没有利用耐压1.8V的MOS管来实现1.8V转3.3V的电压转换方案。

因此，如何提供一种解决上述技术问题的方案是目前本领域技术人员需要解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种耐压较低的低压转高压的电压转换电路及电压转换集成芯片。其具体方案如下：

一种低压转高压的电压转换电路，包括电容、第一NMOS管、第二NMOS管，第一PMOS管，第二PMOS管，第三PMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管，第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、驱动电路，其中：

所述第一NMOS管的栅极接第一信号，源极接地，漏极与所述电容的第一端连接；

所述第二NMOS管的栅极接第二信号，源极与所述第一NMOS管的漏极连接，漏极与所述第一PMOS管的漏极连接；

所述第一PMOS管的栅极接所述第二信号，源极与第一电压电源连接；

所述第二PMOS管的源极接所述第一电压电源，漏极与所述电容的第二端连接；

所述第三PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极连接，源极与所述第二PMOS管的栅极连接，漏极与所述电容的第二端连接；

所述第三NMOS管的栅极与所述第三PMOS管的源极连接，源极与所述第一NMOS管的漏极连接，漏极与所述第二NMOS管的漏极连接；

所述第四NMOS管的栅极与漏极分别与所述第三PMOS管的源极连接；

所述第五NMOS管的栅极与所述第一电压电源连接，漏极与所述第四NMOS管的源极连接；

所述第六NMOS管的栅极接所述第一信号，源极接地，漏极与所述第五NMOS管的源极连接；

所述第七NMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极，源极与所述第一电压电源连接，漏极与所述电容的第一端连接；

所述驱动电路的第一电源端接所述第一电压电源，第二电源端接第二电压电源，第一输入端和第二输入端分别接所述电容的第一端和第二端；

所述第一电压电源和所述第二电压电源分别为1.8V和3.3V，所述第一信号与所述第二信号互为反相，当所述第一信号为0V，所述驱动电路输出0V，当所述第一信号为1.8V，所述驱动电路输出3.3V。