[发明专利]OLED显示面板及显示装置在审
申请号: | 202010652776.7 | 申请日: | 2020-07-08 |
公开(公告)号: | CN111769149A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 叶剑 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/044 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 高杨丽 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
衬底;
驱动电路层,形成于所述衬底上;
平坦化层,形成于所述驱动电路层上;
发光功能层,形成于所述平坦化层上,包括在远离所述衬底方向依次设置的像素电极层、像素定义层、发光材料层、以及公共电极层,所述像素电极层图案化形成像素电极,所述像素定义层图案化形成像素定义区以及凹槽,所述凹槽设置于至少两个相邻的所述像素定义区之间,所述像素定义区对应于所述像素电极,所述发光材料层形成于所述像素定义区内,所述公共电极层平铺于所述像素定义层和所述发光材料层上;
封装层,形成于所述公共电极层上,凹槽区内所述封装层的厚度,大于所述凹槽区外和所述像素定义区外所述封装层的厚度;
触控层,形成于所述封装层上,包括触控电极,所述触控电极为围绕所述像素定义区的网格结构,所述触控电极在所述衬底上的投影,与所述凹槽在所述衬底上的投影存在至少部分重合。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述触控电极在所述衬底上的投影,落入所述凹槽在所述衬底上的投影内。
3.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽的底部位于所述像素定义层内。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽贯穿所述像素定义层,且所述凹槽的底部位于所述像素定义层和所述平坦化层的交界面上。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽贯穿所述像素定义层,且所述凹槽的底部位于所述平坦化层内。
6.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽同时贯穿所述像素定义层和所述平坦化层,且所述凹槽的底部位于所述平坦化层和所述驱动电路层的交界面上。
7.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽包括第一凹槽部和第二凹槽部,所述第二凹槽部设置于所述第一凹槽部远离所述封装层的一侧,所述第二凹槽部在所述衬底上的投影落入所述第一凹槽部在所述衬底上的投影内、且比所述第一凹槽部在所述衬底上的投影面积小。
8.如权利要求7所述的OLED显示面板,其特征在于,所述触控电极在所述衬底上的投影,落入所述第二凹槽部在所述衬底上的投影内。
9.如权利要求8所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一凹槽部和所述第二凹槽部均位于所述像素定义层内,且所述第二凹槽部的底部位于所述像素定义层内。
10.如权利要求8所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一凹槽部和所述第二凹槽部均位于所述像素定义层内,且所述第二凹槽部的底部位于所述像素定义层和所述平坦化层的交界面上。
11.如权利要求8所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层,所述第二凹槽部位于所述平坦化层内,且所述第二凹槽部的底部位于所述平坦化层内。
12.如权利要求11所述的OLED显示面板,其特征在于,所述平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层,所述第二平坦化层设置于所述第一平坦化层远离所述封装层的一侧,所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层,所述第二凹槽部贯穿所述第一平坦化层,且所述第二凹槽部的底部位于所述第一平坦化层和所述第二平坦化层的交界面上。
13.如权利要求8所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层,所述第二凹槽部贯穿所述平坦化层,且所述第二凹槽部的底部位于所述平坦化层和所述驱动电路层的交界面上。
14.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至13任一所述的OLED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的