[发明专利]OLED显示面板及显示装置在审
申请号: | 202010652776.7 | 申请日: | 2020-07-08 |
公开(公告)号: | CN111769149A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 叶剑 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/044 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 高杨丽 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 显示装置 | ||
本申请提供了一种OLED显示面板及显示装置,OLED显示面板包括:衬底;驱动电路层;平坦化层;发光功能层,包括像素电极层、像素定义层、发光材料层、公共电极层,像素定义层图案化形成像素定义区和凹槽,凹槽设置于至少两个相邻的像素定义区之间,发光材料层形成于像素定义区内,公共电极层平铺于像素定义层和发光材料层上;封装层,凹槽区内封装层的厚度,大于凹槽区外和像素定义区外封装层的厚度;触控层,包括触控电极,触控电极为围绕像素定义区的网格结构,触控电极在衬底上的投影与凹槽在衬底上的投影存在至少部分重合。增大了公共电极与触控电极间的距离,减小了公共电极与触控电极间的寄生电容,提高了OLED显示面板的触控报点率和触控灵敏度。
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种OLED显示面板及显示装置。
背景技术
电容式触摸屏由于其高耐久性,长寿命,并且支持多点触控的功能,广泛应用于各种电子交互场景设备中。电容式触摸屏的工作原理是通过检测手指触摸位置处电容量的变化来检测手指触摸的具体位置。
目前针对柔性AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode,有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)On-cell(在AMOLED盖板上集成触控层)显示屏,其触控电极通常直接制作在薄膜封装层上表面,然而由于薄膜封装层较薄(通常厚度<10um),触控电极与阴极之间的距离较小,触控电极与阴极之间的寄生电容较大,使得大尺寸触摸屏远端的触控电极通道的RC延时大,从而导致触控电极的扫描频率大幅下降,进而导致触控报点率等关键性能降低。
因此,现有AMOLED On-cell显示屏存在触控报点率低的问题,需要解决。
发明内容
本申请提供一种OLED显示面板及显示装置,以改进现有AMOLED On-cell显示屏存在触控报点率低的问题。
为解决以上问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供一种OLED显示面板,其包括:
衬底;
驱动电路层,形成于所述衬底上;
平坦化层,形成于所述驱动电路层上;
发光功能层,形成于所述平坦化层上,包括在远离所述衬底方向依次设置的像素电极层、像素定义层、发光材料层、以及公共电极层,所述像素电极层图案化形成像素电极,所述像素定义层图案化形成像素定义区以及凹槽,所述凹槽设置于至少两个相邻的所述像素定义区之间,所述像素定义区对应于所述像素电极,所述发光材料层形成于所述像素定义区内,所述公共电极层平铺于所述像素定义层和所述发光材料层上;
封装层,形成于所述公共电极层上,凹槽区内所述封装层的厚度,大于所述凹槽区外和所述像素定义区外所述封装层的厚度;
触控层,形成于所述封装层上,包括触控电极,所述触控电极为围绕所述像素定义区的网格结构,所述触控电极在所述衬底上的投影,与所述凹槽在所述衬底上的投影存在至少部分重合。
在本申请提供的OLED显示面板中,所述触控电极在所述衬底上的投影,落入所述凹槽在所述衬底上的投影内。
在本申请提供的OLED显示面板中,所述凹槽的底部位于所述像素定义层内。
在本申请提供的OLED显示面板中,所述凹槽贯穿所述像素定义层,且所述凹槽的底部位于所述像素定义层和所述平坦化层的交界面上。
在本申请提供的OLED显示面板中,所述凹槽贯穿所述像素定义层,且所述凹槽的底部位于所述平坦化层内。
在本申请提供的OLED显示面板中,所述凹槽同时贯穿所述像素定义层和所述平坦化层,且所述凹槽的底部位于所述平坦化层和所述驱动电路层的交界面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的