[发明专利]激光器的形成方法和形成设备有效
申请号: | 202010653223.3 | 申请日: | 2020-07-08 |
公开(公告)号: | CN111934188B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 桂勇;梁飞 | 申请(专利权)人: | 武汉光迅科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/02 | 分类号: | H01S5/02;H01S5/02315;B23K31/02 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 崔晓岚;张颖玲 |
地址: | 430074 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光器 形成 方法 设备 | ||
本申请实施例提供一种激光器的形成方法和形成设备,其中,所述方法包括:提供基板组件,所述基板组件包括基板和预固定于所述基板特定区域的焊料;将所述基板组件置于待处理激光器底座的底座共晶面上,并对所述基板组件进行加热,以使得所述基板组件中的所述焊料处于熔融状态;将所述焊料处于熔融状态的基板组件,置于所述底座共晶面和所述待处理激光器底座的管脚之间,以通过所述熔融状态的焊料连接所述基板与所述管脚,形成处理后的激光器底座;在所述处理后的激光器底座上连接激光器芯片,以形成所述激光器。通过本申请实施例,能够提高最终形成的激光器的气密性和可靠性,且降低生产难度,减小生产成本。
技术领域
本申请实施例涉及光通信技术领域,涉及但不限于一种激光器的形成方法和形成设备。
背景技术
相关技术中,采用人工方式将陶瓷基板和固态焊片塞入晶体管外形封装的激光器(Laser Diode-Transistor Outline,LD-TO)的底座中(简称,TO底座),TO底座共晶面和TO底座的待焊接管脚之间的缝隙大小很难控制,如果TO底座共晶面和待焊接管脚之间的缝隙过大,则焊片融化后,陶瓷基板和管脚之间有可能虚焊或连接体较少,导致焊接效果差;如果TO底座共晶面和待焊接管脚之间的缝隙过小,则必须将待焊接管脚掰弯,才能将陶瓷基板和焊片塞进去,此时,包裹待焊接管脚的玻璃绝缘子容易开裂,使得激光器TO不具备气密性,处于失效的状态。因此,一方面,用人工插入陶瓷基板和焊片的方式制作的激光器TO底座可靠性较差;另一方面,采用人工方式制作激光器TO底座需要大量投入人力,生产成本过高。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例提供一种激光器的形成方法和形成设备。
本申请的技术方案是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供一种激光器的形成方法,所述方法包括:
提供基板组件,所述基板组件包括基板和预固定于所述基板特定区域的焊料;
将所述基板组件置于待处理激光器底座的底座共晶面上,并对所述基板组件进行加热,以使得所述基板组件中的所述焊料处于熔融状态;
将所述焊料处于熔融状态的基板组件,置于所述底座共晶面和所述待处理激光器底座的管脚之间,以通过所述熔融状态的焊料连接所述基板与所述管脚,形成处理后的激光器底座;
在所述处理后的激光器底座上连接激光器芯片,以形成所述激光器。
在一些实施例中,所述方法还包括:
对所述基板和所述焊料进行预固定处理,形成所述基板组件。
在一些实施例中,所述预固定处理包括加热处理;所述对所述基板和所述焊料进行预固定处理,形成所述基板组件,包括:
采用第一加热温度对所述基板和所述焊料进行加热处理,以使得所述焊料处于待熔融状态,形成所述基板组件,其中,所述第一加热温度小于所述焊料的熔点,且所述焊料预固定于所述基板的特定区域。
在一些实施例中,所述预固定处理还包括按压处理;所述对所述基板和所述焊料进行预固定处理,形成所述基板组件,还包括:
在采用所述第一加热温度对所述基板和所述焊料进行加热处理的同时,采用预设按压参数对所述基板和所述焊料进行按压处理,形成所述基板组件,其中,所述焊料预固定于所述基板的特定区域。
在一些实施例中,所述预设按压参数包括:按压压力和按压时长;
所述采用所述预设按压参数对所述基板和所述焊料进行按压处理,包括:
采用所述按压压力和所述按压时长,对所述基板和所述焊料进行按压处理。
在一些实施例中,所述对所述基板组件进行加热,以使得所述基板组件中的所述焊料处于熔融状态,包括:
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