[发明专利]具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置

权利要求书

1.一种设备，其包括：

半导体衬底；

第一扩散区，其形成于所述半导体衬底的表面上，所述第一扩散区具有其中沿第一方向的长度是第一长度的矩形形状，所述第一扩散区包含沿所述第一方向布置的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；

第二扩散区，其形成于所述半导体衬底的所述表面上，所述第二扩散区具有其中沿所述第一方向的长度是大于所述第一长度的第二长度的矩形形状，所述第二扩散区包含沿所述第一方向布置的第三源极/漏极区、第四源极/漏极区和第五源极/漏极区；

第一栅电极，其沿大体上垂直于所述第一方向的第二方向延伸，并且设置于所述第一扩散区的所述第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间以及所述第二扩散区的所述第三源极/漏极区和第四源极/漏极区之间；和

第二栅电极，其沿所述第二方向延伸，并且设置于所述第二扩散区的所述第四源极/漏极区和第五源极/漏极区之间，

其中所述第一源极/漏极区和第三源极/漏极区带有彼此相同的电势，且

其中所述第二源极/漏极区和第四源极/漏极区带有彼此相同的电势。

2.根据权利要求1所述的设备，其另外包括电连接于所述第二源极/漏极区和第四源极/漏极区之间的第一布线。

3.根据权利要求2所述的设备，其另外包括沿所述第二方向延伸的第三栅电极，其中所述第一扩散区另外包含第六源极/漏极区，

其中所述第二扩散区另外包含第七源极/漏极区，

其中所述第三栅电极设置于所述第一扩散区的所述第一源极/漏极区和第六源极/漏极区之间以及所述第二扩散区的所述第三源极/漏极区和第七源极/漏极区之间，且

其中所述第六源极/漏极区和第七源极/漏极区带有彼此相同的电势。

4.根据权利要求3所述的设备，其另外包括电连接于所述第六源极/漏极区和第七源极/漏极区之间的第二布线。

5.根据权利要求4所述的设备，其中为所述第二布线供应电源电势。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一源极/漏极区和第三源极/漏极区不含通路导体。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一扩散区和第二扩散区具有P型导电性。

8.一种设备，其包括：

第一晶体管，在其中的栅极宽度是第一宽度；和

第二晶体管，在其中的栅极宽度是小于所述第一宽度的第二宽度，

其中所述第一晶体管的源极/漏极区划分成第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，且

其中共享所述第一晶体管的所述第一源极/漏极区中的一个和所述第二晶体管的源极/漏极区中的一个以使得所述第一源极/漏极区中的所述第一晶体管的栅极宽度是所述第二宽度。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第二源极/漏极区中的所述第一晶体管的栅极宽度是所述第二宽度。

10.根据权利要求8所述的设备，其另外包括电连接于所述第一晶体管的所述第一源极/漏极区中的所述一个与所述第一晶体管的所述第二源极/漏极区中的一个之间的第一布线。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一晶体管的所述第一源极/漏极区中的其它第一源极/漏极区和所述第一晶体管的所述第二源极/漏极区中的其它第二源极/漏极区不含通路导体。

12.根据权利要求11所述的设备，其另外包括在其中的栅极宽度是所述第一宽度的第三晶体管，

其中所述第三晶体管的源极/漏极区划分成第三源极/漏极区和第四源极/漏极区，

其中共享所述第一晶体管的所述第一源极/漏极区中的另一个和所述第三晶体管的所述第三源极/漏极区中的一个，且

其中共享所述第一晶体管的所述第二源极/漏极区中的另一个和所述第三晶体管的所述第四源极/漏极区中的一个。