[发明专利]具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置

说明书

本申请案涉及具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置。本文中公开一种设备，其包含：第一扩散区，其具有矩形形状并且包含沿所述第一方向布置的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第二扩散区，其具有矩形形状并且包含沿所述第一方向布置的第三到第五源极/漏极区；第一栅电极，其沿第二方向延伸，并且设置于所述第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间以及所述第三源极/漏极区和第四源极/漏极区之间；和第二栅电极，其沿所述第二方向延伸，并且设置于所述第四源极/漏极区和第五源极/漏极区之间。所述第一源极/漏极区和第三源极/漏极区带有彼此相同的电势，且所述第二源极/漏极区和第四源极/漏极区带有彼此相同的电势。

技术领域

本申请案涉及半导体装置。

背景技术

为了进一步减小半导体装置的芯片大小，重要的是精巧设计晶体管的布局并且缩简工艺。举例来说，当晶体管的源极/漏极区中的一个和另一晶体管的源极/漏极区中的一个具有相同电势时，可共享这些源极/漏极区以减小在芯片上的占用区域。当在具有不同栅极宽度的晶体管之间共享源极/漏极区时，扩散区的平面形状变成例如L形。然而，具有非矩形平面形状的扩散区与具有矩形平面形状的扩散区展现不同的特性。因此，利用其中不共享源极/漏极区的布局阻止扩散区的平面形状变成例如L形。在此情况下，无法获得由于共享源极/漏极区因此的面积减小效果。

发明内容

在一个方面中，本申请案提供一种设备，其包括：半导体衬底；第一扩散区，其形成于所述半导体衬底的表面上，所述第一扩散区具有其中沿第一方向的长度是第一长度的矩形形状，所述第一扩散区包含沿所述第一方向布置的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第二扩散区，其形成于所述半导体衬底的所述表面上，所述第二扩散区具有其中沿所述第一方向的长度是大于所述第一长度的第二长度的矩形形状，所述第二扩散区包含沿所述第一方向布置的第三源极/漏极区、第四源极/漏极区和第五源极/漏极区；第一栅电极，其沿大体上垂直于所述第一方向的第二方向延伸，并且设置于所述第一扩散区的所述第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间以及所述第二扩散区的所述第三源极/漏极区和第四源极/漏极区之间；和第二栅电极，其沿所述第二方向延伸，并且设置于所述第二扩散区的所述第四源极/漏极区和第五源极/漏极区之间，其中所述第一源极/漏极区和第三源极/漏极区带有彼此相同的电势，且其中所述第二源极/漏极区和第四源极/漏极区带有彼此相同的电势。

在另一方面中，本申请案提供一种设备，其包括：第一晶体管，在其中的栅极宽度是第一宽度；和第二晶体管，在其中的栅极宽度是小于所述第一宽度的第二宽度，其中所述第一晶体管的源极/漏极区划分成第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，且其中共享所述第一晶体管的所述第一源极/漏极区中的一个和所述第二晶体管的源极/漏极区中的一个以使得所述第一源极/漏极区中的所述第一晶体管的栅极宽度是所述第二宽度。

在另一方面中，本申请案提供一种设备，其包括：第一电源线，其沿第一方向延伸并且被供应第一电源电势；第二电源线，其沿所述第一方向延伸并且被供应第二电源电势；和多个标准单元，其沿所述第一方向布置于所述第一电源线和第二电源线之间，其中所述标准单元中的每一个在所述第一电源电势和第二电源电势之间的电压上操作，其中所述多个标准单元包含彼此具有相同结构的多个第一标准单元，其中所述第一标准单元中的每一个包含：第一扩散区，其具有其中沿所述第一方向的长度是第一长度的矩形形状，所述第一扩散区包含沿所述第一方向布置的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第二扩散区，其具有其中沿所述第一方向的长度是大于所述第一长度的第二长度的矩形形状，所述第二扩散区包含沿所述第一方向布置的第三源极/漏极区、第四源极/漏极区和第五源极/漏极区；第一栅电极，其沿大体上垂直于所述第一方向的第二方向延伸，并且设置于所述第一扩散区的所述第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间以及所述第二扩散区的所述第三源极/漏极区和第四源极/漏极区之间；和第二栅电极，其沿所述第二方向延伸，并且设置于所述第二扩散区的所述第四源极/漏极区和第五源极/漏极区之间，其中所述第一源极/漏极区和第三源极/漏极区带有彼此相同的电势，且其中所述第二源极/漏极区和第四源极/漏极区带有彼此相同的电势。